產(chǎn)品特性：

• 分別采用SOT-723和UDFN-6封裝
• 高速線路對地容抗小
• 能將15千伏的輸入ESD波形在數(shù)納秒內(nèi)鉗位至低于7伏

應(yīng)用范圍：

• 高頻射頻(RF)天線
• 便攜應(yīng)用

安森美半導(dǎo)體擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護平臺設(shè)計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。

ESD7L5.0D 采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護每條線路0.5皮法(pF)電容的兩條高速數(shù)據(jù)線路。將安森美半導(dǎo)體的低電容技術(shù)集成至3引腳封裝為設(shè)計人員提供以單個器件保護USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極，保護0.25 pF電容的一條雙向線路，非常適用于保護高頻射頻(RF)天線線路。

NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護每條線路0.7 pF的4條高速數(shù)據(jù)線路和2條Vcc電源線路。使設(shè)計人員能夠采用單個集成器件保護兩個USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。

這兩款新器件的主要特點，都來自安森美半導(dǎo)體的專有技術(shù)。ESD7L5.0D和NUP4212能夠?qū)?5千伏(kV)的輸入ESD波形在數(shù)納秒(ns)內(nèi)鉗位至低于7伏(V)，確保當今的對ESD敏感的集成電路(IC)具有高水平的保護。此外，安森美半導(dǎo)體這些硅器件沒有無源技術(shù)的磨損問題，在經(jīng)受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會受到影響。

安森美半導(dǎo)體標準產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說：“安森美半導(dǎo)體推出針對高速數(shù)據(jù)應(yīng)用的超低電容產(chǎn)品，持續(xù)擴大我們在高性能ESD保護解決方案的領(lǐng)先地位。下一代便攜應(yīng)用需要在越來越高的數(shù)據(jù)率下具有更高的性能和更大的設(shè)計靈活性。安森美半導(dǎo)體不斷配合這個趨勢，推出完整的低電容ESD保護解決方案系列。”

采用這個技術(shù)平臺的首款產(chǎn)品ESD9L5.0S以技術(shù)、應(yīng)用和設(shè)計創(chuàng)新方面的巨大進步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。

ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封裝，每8,000片的批量單價為0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封裝，每3,000片的批量單價為0.608美元。