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    鋰電池短路保護(hù):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)

    發(fā)布時(shí)間:2013-10-19 責(zé)任編輯:eliane

    【導(dǎo)讀】鋰電池具有能量高、使用壽命長(zhǎng)、重量輕、綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的應(yīng)用。在鋰電池的應(yīng)用中,短路保護(hù)設(shè)計(jì)和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性直接相關(guān),因此,要保證電池安全工作,不僅要選擇合適的功率MOSFET,而且要設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。本文將講解如何選取功率MOSFET型號(hào)及設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。

    鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池的使用會(huì)越來(lái)越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型的環(huán)保電池,開始逐步的應(yīng)用到電動(dòng)車中,并且將成為發(fā)展趨勢(shì)。通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過(guò)程進(jìn)行保護(hù),以免過(guò)充過(guò)放或過(guò)熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過(guò)程中一種極端惡劣的工作條件,本文將介紹功率MOSFET在這種工作狀態(tài)的特點(diǎn),以及如何選取功率MOSFET型號(hào)和設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。

    電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用特點(diǎn)

    電動(dòng)自行車的磷酸鐵鋰電池保護(hù)板的放電電路的簡(jiǎn)化模型如圖1所示。Q1為放電管,使用N溝道增強(qiáng)型MOSFET,實(shí)際的工作中,根據(jù)不同的應(yīng)用,會(huì)使用多個(gè)功率MOSFET并聯(lián)工作,以減小導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻,LP為電池引線電感。
    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)

    正常工作時(shí),控制信號(hào)控制MOSFET打開,電池組的端子P+和P-輸出電壓,供負(fù)載使用。此時(shí),功率MOSFET一直處于導(dǎo)通狀態(tài),功率損耗只有導(dǎo)通損耗,沒(méi)有開關(guān)損耗,功率MOSFET的總的功率損耗并不高,溫升小,因此功率MOSFET可以安全工作。

    但是,當(dāng)負(fù)載發(fā)生短路時(shí),由于回路電阻很小,電池的放電能力很強(qiáng),所以短路電流從正常工作的幾十安培突然增加到幾百安培,在這種情況下,功率MOSFET容易損壞。

    鋰電池短路保護(hù)的難點(diǎn)

    (1)短路電流大

    在電動(dòng)車中,磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V,短路電流隨電池的容量、內(nèi)阻、線路的寄生電感、短路時(shí)的接觸電阻變化而變化,通常為幾百甚至上千安培。

    (2)短路保護(hù)時(shí)間不能太短

    在應(yīng)用過(guò)程中,為防止瞬態(tài)的過(guò)載使短路保護(hù)電路誤動(dòng)作,因此,短路保護(hù)電路具有一定的延時(shí)。且由于電流檢測(cè)電阻的誤差、電流檢測(cè)信號(hào)和系統(tǒng)響應(yīng)的延時(shí),通常,根據(jù)不同的應(yīng)用,將短路保護(hù)時(shí)間設(shè)置在200μS至1000μS,這要求功率MOSFET在高的短路電流下,能夠在此時(shí)間內(nèi)安全的工作,這也提高了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度。
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    鋰電池短路保護(hù)

    當(dāng)短路保護(hù)工作時(shí),功率MOSFET一般經(jīng)過(guò)三個(gè)工作階段:完全導(dǎo)通、關(guān)斷、雪崩,如圖2所示,其中VGS為MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓,VDS為MOSFET漏極電壓,ISC為短路電流,圖2(b)為圖2(a)中關(guān)斷期間的放大圖。

    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)
    圖2:短路過(guò)程。(a)完全導(dǎo)通階段;(b)關(guān)斷和雪崩階段。
     

    (1)完全導(dǎo)通階段

    如圖2(a)所示,短路剛發(fā)生時(shí),MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài),電流迅速上升至最大電流,在這個(gè)過(guò)程,功率MOSFET承受的功耗為PON=ISC2*RDS(on),所以具有較小RDS(on)的MOSFET功耗較低。

    功率MOSFET的跨導(dǎo)Gfs也會(huì)影響功率MOSFET的導(dǎo)通損耗。當(dāng)MOSFET的Gfs較小且短路電流很大時(shí),MOSFET將工作在飽和區(qū),其飽和導(dǎo)通壓降很大,如圖3所示,MOSFET的VDS(ON)在短路時(shí)達(dá)到14.8V,MOSFET功耗會(huì)很大,從而導(dǎo)致MOSFET因過(guò)功耗而失效。如果MOSFET沒(méi)有工作在飽和區(qū),則其導(dǎo)通壓降應(yīng)該只有幾伏,如圖2(a)中的VDS所示。

    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)
    圖3:低跨導(dǎo)MOSFET的導(dǎo)通階段
     

    (2)關(guān)斷階段

    如圖2(b)所示,保護(hù)電路工作后,開始將MOSFET關(guān)斷,在關(guān)斷過(guò)程中MOSFET消耗的功率為POFF=V*I,由于關(guān)斷時(shí)電壓和電流都很高,所以功率很大,通常會(huì)達(dá)到幾千瓦以上,因此MOSFET很容易因瞬間過(guò)功率而損壞。同時(shí),MOSFET在關(guān)斷期間處于飽和區(qū),容易發(fā)生各單元間的熱不平衡從而導(dǎo)致MOSFET提前失效。
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    提高關(guān)斷的速度,可以減小關(guān)斷損耗,但這會(huì)產(chǎn)生另外的問(wèn)題。MOSFET的等效電路如圖4所示,其包含了一個(gè)寄生的三極管。在MOSFET短路期間,電流全部通過(guò)MOSFET溝道流過(guò),當(dāng)MOSFET快速關(guān)斷時(shí),其部分電流會(huì)經(jīng)過(guò)Rb流過(guò),從而增加三極管的基極電壓,使寄生三極管導(dǎo)通,MOSFET提前失效。

    因此,要選取合適的關(guān)斷速度。由于不同MOSFET承受的關(guān)斷速率不同,需要通過(guò)實(shí)際的測(cè)試來(lái)設(shè)置合適的關(guān)斷速度。
    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)
    圖4:MOSFET等效電路
     

    圖5(a)為快速關(guān)斷波形,關(guān)斷時(shí)通過(guò)三極管快速將柵極電荷放掉從而快速關(guān)斷MOSFET,圖5(b)為慢速關(guān)斷電路,在回路中串一只電阻來(lái)控制放電速度,增加電阻可以減緩關(guān)斷速度。
    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)
    圖5:功率MOSFET關(guān)斷電路。(a)快速關(guān)斷電路;(b)慢速關(guān)斷電路
    鋰電池短路保護(hù)設(shè)計(jì):功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)
    圖6:AOT266關(guān)斷波形。(a)快速關(guān)斷波形;(b)慢速關(guān)斷波形

    AOT266為AOS新一代的中壓MOSFET,其耐壓為60V,RDS(ON)僅為3.2毫歐,適合在磷酸鐵鋰電保護(hù)中的應(yīng)用。圖6(a)為AOT266在不正確的設(shè)計(jì)時(shí)快速關(guān)斷的波形,AOT266在快關(guān)斷過(guò)程中失效,失效時(shí)其電壓尖峰為68V,失效后電流不能回零,其失效根本原因是關(guān)斷太快。圖6(b)為使用正確的設(shè)計(jì)、放電電阻為1K時(shí)的慢速關(guān)斷波形,MOSFET的關(guān)斷時(shí)間達(dá)到13.5us,電壓尖峰為80.8V,但MOSFET沒(méi)有失效,因此慢速關(guān)斷在這種應(yīng)用中可以提高短路能力。
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    (3)雪崩階段

    在MOSFET關(guān)斷過(guò)程的后期,MOSFET通常會(huì)進(jìn)入雪崩狀態(tài),如圖2(b)中的雪崩階段。關(guān)斷后期MOSFET漏極電壓尖峰為VSPIKE=VB+LP*di/dt,回路的引線電感LP和di/dt過(guò)大均會(huì)導(dǎo)致MOSFET過(guò)壓,從而導(dǎo)致MOSFET提前失效。

    功率MOSFET的選取原則

    (1)通過(guò)熱設(shè)計(jì)來(lái)確定所需并聯(lián)的MOSFET數(shù)量和合適的RDS(ON);
    (2)盡量選擇較小RDS(ON)的MOSFET,從而能夠使用較少的MOSFET并聯(lián)。多個(gè)MOSFET并聯(lián)易發(fā)生電流不平衡,對(duì)于并聯(lián)的MOSFET應(yīng)該有獨(dú)立的并且相等的驅(qū)動(dòng)電阻,以防止MOSFET間形成震蕩;
    (3)基于最大短路電流、并聯(lián)的MOSFET數(shù)量、驅(qū)動(dòng)電壓等選擇合適gFS的MOSFET;
    (4)考慮在關(guān)斷后期的電壓尖峰,MOSFET的雪崩能量不能太小。

    本文小結(jié)

    在電動(dòng)車磷酸鐵鋰電池保護(hù)應(yīng)用中,短路保護(hù)設(shè)計(jì)和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性直接相關(guān),因此不但要選擇合適的功率MOSFET,而且要設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路,才能保證功率MOSFET的安全工作。

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