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    測(cè)量MLCC靜電容量的注意事項(xiàng)

    發(fā)布時(shí)間:2019-01-23 責(zé)任編輯:xueqi

    【導(dǎo)讀】當(dāng)測(cè)量片狀多層陶瓷電容器(MLCC)的靜電容量時(shí),測(cè)量值是否大于或小于標(biāo)稱值?以下介紹諸如此類問(wèn)題的解決辦法以及注意事項(xiàng)。
     
    溫度補(bǔ)償型(低容量)測(cè)定的注意事項(xiàng)
     
    溫度補(bǔ)償型(低容量)MLCC在靜電容量測(cè)定時(shí)、測(cè)定值比公稱值或大、或小。
     
    按以下順序進(jìn)行說(shuō)明。
     
    1)測(cè)定治具的“O”補(bǔ)正是?
    2)OPEN補(bǔ)正時(shí)的端子間距離和靜電容量測(cè)定值
    3)靜電容量測(cè)定值的變化理由
    4)測(cè)定時(shí)的注意事項(xiàng)
     
    1)測(cè)定治具的“O”補(bǔ)正是?
     
    ①如下圖MLCC在測(cè)定時(shí)、會(huì)發(fā)生
    ?測(cè)定線上串聯(lián)電阻以及電感
    ?MLCC夾住時(shí)測(cè)定端子間的浮游容量
     
    造成不能準(zhǔn)確的測(cè)定MLCC的靜電容量。所以、為了消除這些影響因素的行為就稱為『測(cè)定治具的“O”補(bǔ)正』。
     
    測(cè)定前的OPEN補(bǔ)正、SHORT補(bǔ)正就屬于此補(bǔ)正。
     
     
    ②OPEN補(bǔ)正是把MLCC夾住時(shí)測(cè)定端子間的浮游容量消除、SHORT補(bǔ)正是把測(cè)定線上串聯(lián)電阻以及電感消除
     
     
    ③在OPEN補(bǔ)正、SHORT補(bǔ)正后、MLCC測(cè)定精度可以得到確保。
     
     
    2)OPEN補(bǔ)正時(shí)的端子間距離和靜電容量測(cè)定值
     
    以1pF的MLCC靜電容量測(cè)定為例、改變OPEN補(bǔ)正時(shí)的測(cè)試治具端子間距離然后確認(rèn)靜電容量,結(jié)果、OPEN補(bǔ)正時(shí)端子間距離比MLCC的L尺寸越大靜電容量測(cè)定值也越大、比MLCC的 L尺寸小靜電容量測(cè)定值也變小。
     
     
    ■測(cè)定條件
     
    品名 :GRM0334C1H1R0B
    測(cè)定器 :HP4278A
    測(cè)定治具:HP TEST FIXTURE16034E(挾み込み型)
    條件 :1±0.1MHz/1±0.2Vrms
     
     
    3)靜電容量測(cè)定值的變化理由
     
    ■為何OPEN補(bǔ)正時(shí)端子間距離會(huì)使靜電容量測(cè)試值產(chǎn)生變化呢?
     
     
    金屬和金屬間存在絕緣體的話就會(huì)產(chǎn)生靜電容量。因?yàn)榭諝庖彩墙^緣體所以測(cè)定端子間會(huì)發(fā)生靜電容量。
     
    金屬和金屬間的距離越短端子間靜電容量越大 
     
     
    OPEN補(bǔ)正端子間距離和靜電容量測(cè)定結(jié)果
     
     
    4)測(cè)定時(shí)的注意事項(xiàng)
     
    <OPEN補(bǔ)正時(shí)的重點(diǎn)>OPEN補(bǔ)正端子間距離和靜電容量測(cè)定結(jié)果
     
    OPEN補(bǔ)正時(shí)的端子間距離、請(qǐng)和瓷片的L寸法一致。
     
    測(cè)定治具端子間距離長(zhǎng)的情況下進(jìn)行OPEN補(bǔ)正、補(bǔ)正時(shí)的浮游容量比實(shí)際的測(cè)定時(shí)的靜電容量小。 
     
     
    OPEN補(bǔ)正端子間距離和MLCC L寸法不一樣的狀態(tài)下進(jìn)行補(bǔ)正、治具自身的浮游容量就不能得到正確的0補(bǔ)正。
     
    OPEN補(bǔ)正時(shí)端子間距離比MLCC L寸法小、導(dǎo)致治具間的浮游容量比實(shí)際大的情況下0補(bǔ)正、結(jié)果補(bǔ)正后的測(cè)定結(jié)果變小。
     
    相反,端子間距離比MLCC L寸法大時(shí)、補(bǔ)正后的測(cè)定結(jié)果變大。
     
    OPEN補(bǔ)正時(shí)端子間距離的偏差、比起使用夾具型的測(cè)定治具(例如Agilent16034)、鑷子型的治具(例如Agilent16334)的偏差要大些。
     
    鑷子型的治具和夾具型的相比、測(cè)定端子先端的面積(式①的S)大、所以因端子間距離的差異而產(chǎn)生的靜電容量測(cè)定值的變動(dòng)也大。
     
    高介電常數(shù)型(大容量)測(cè)定的注意事項(xiàng)
     
    高介電常數(shù)型(大容量)MLCC在の靜電容量測(cè)定時(shí)、測(cè)定值比公稱值小。  
      
    按以下順序進(jìn)行說(shuō)明。
     
    1)大容量MLCC的測(cè)定事例
    2)靜電容量測(cè)定值低下的理由
    3)測(cè)定時(shí)的注意事項(xiàng)
     
    1)大容量MLCC的測(cè)定事例
     
    大容量和非大容量MLCC在ALC (Automatic Level Control )ON/OFF的狀態(tài)下測(cè)定靜電容量。結(jié)果如下。
     
    ■測(cè)定條件
     
    品名:GRM188R60J106K/ GRM188B11H103K
    測(cè)定器 :Agilent E4980A
    測(cè)定治具:Agilent TEST FIXTURE16334(鑷子型)
    條件 : GRM188R60J106K;1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
         GRM188B11H103K;1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
    ⇒大容量的靜電容量測(cè)定時(shí)、ALC 設(shè)定OFF與ALC設(shè)定ON的狀態(tài)下相比,靜電容量測(cè)定值要小
     
    ■靜電容量測(cè)定結(jié)果
     
     
    2)靜電容量測(cè)定值低下的理由
     
    各種情況下用萬(wàn)用表測(cè)試測(cè)定電壓的結(jié)果如下。
    對(duì)于大容量MLCC、ALC 設(shè)置OFF時(shí)測(cè)定電壓值不滿足測(cè)定條件
     
    ■測(cè)定條件:1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
     
     
    ■測(cè)定條件:1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
     
     
    ■靜電容量變大時(shí)、為何測(cè)定電壓Vc變小??
               
    靜電容量C、以
     
     
    來(lái)表示。
     
    靜電容量C變大的話 Zc會(huì)變小。
     
    在測(cè)定電路中、測(cè)定電壓Vc以
     
     
    來(lái)表示。
     
    所以、Zc變小的話測(cè)定電壓Vc也變小。
     
     
    ■測(cè)定電壓Vc變小時(shí)、為何靜電容量的測(cè)定結(jié)果變小?
               
    MLCC的靜電容量會(huì)隨著周圍溫度、印加的電壓值的變化而變化。
     
    測(cè)定條件20℃、1KHz時(shí)的MLCC的AC電壓特性如下圖所示。
     
     
    AC電壓變化靜電容量也變化、0.5Vrms的印加電壓小靜電容量也變小。
     
    3)測(cè)定時(shí)的注意事項(xiàng)
     
    ■靜電容量低時(shí)、準(zhǔn)備好萬(wàn)用表對(duì)測(cè)定電壓進(jìn)行測(cè)量。
     
    如果、測(cè)定電壓比規(guī)定的測(cè)定電壓小的話
    ①設(shè)定ALC  ON
    ②使用能發(fā)生規(guī)定電壓的測(cè)定器
     
    測(cè)定電壓在測(cè)定時(shí)、如下照片把萬(wàn)用表搭在測(cè)定治具的兩端。
     
     
    關(guān)于高誘電系積層陶瓷電容的老化
     
    高誘電系陶瓷電容器,主要構(gòu)成成分為鈦酸鋇(BaTiO3)。本系列電容器具有靜電容量隨著時(shí)間的推移而變小的現(xiàn)象。這個(gè)現(xiàn)象就叫作靜電容量的老化特性。
     
    BaTiO3系是下圖1所示的鈣鈦框形結(jié)構(gòu),在居里點(diǎn)以上溫度時(shí),就是這樣的立方形。
     
     
    BaTiO3系陶瓷電容器加熱到居里點(diǎn)以上時(shí),結(jié)晶構(gòu)造由正方晶系轉(zhuǎn)變成立方晶系。冷卻到居里點(diǎn)溫度以下時(shí),結(jié)晶構(gòu)造由立方晶系轉(zhuǎn)變成正方晶系。(圖2)
     
    總之,結(jié)晶對(duì)的微細(xì)構(gòu)造加熱到居里點(diǎn)以上溫度時(shí),就能恢復(fù)到最初狀態(tài),老化也就再次開(kāi)始。
     
    由于老化減少的靜電容量,在貴公司安裝工程的加熱過(guò)程可以恢復(fù)。
     
    [補(bǔ)充資料]
     
    高誘電系的積層陶瓷電容器的靜電容量,以經(jīng)過(guò)125℃以上的熱處理24小時(shí)后的值作為基準(zhǔn),與時(shí)間成對(duì)數(shù)關(guān)系直線性下降。請(qǐng)參考如下本公司制品靜電容量老化特性的代表例子。
     
     
    補(bǔ)充資料/ GRM188B11H103K測(cè)定比較
     
     
    來(lái)源:村田制作所
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