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    保護數據以保護世界不受壞人破壞

    發布時間:2021-05-10 來源:Sudhama Shastri 責任編輯:wenwei

    【導讀】巨大的天然洞穴里的光線暗淡,房間陰沉,反映出Octopus博士的陰郁情緒。他咕噥著,嘆息著,他試圖用他的假肢撬開一臺部分損壞的筆記本電腦機箱,以破壞它和確保它不會落入敵人的手中–其手尤其能夠以聲速投擲比鋼腹板堅硬的物體到幾百米的空中。幾小時前,Octopus博士捅穿了惡勢力的肋骨將其甩到街上,然后帶著一只含電子產品的手提箱迅速離開。
     
    回到藏身處后,筆記本電腦最終崩潰了,盡管戴著面具的十字軍戰士全神貫注在頂棚注視著他,等待著一個機會把它奪回來。筆記本電腦中的8TBSSD(固態器件或固態“驅動”–其中沒有移動部件)有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性,并不惜一切去破壞它,無意中給他最大的敵人一個機會尾隨他到了受保護的藏身處。為了確保SSD中的內容是真的和被永久的破壞,Planner碩士打碎了機箱,然后又額外用機電臂在其端口釋放強大的閃電,當它明顯的噼啪作響并片刻變成藍色時咧嘴而笑。
     
    他沒有料到的是安森美半導體的固態硬盤和硬盤驅動器(HDD)從個人電腦到數據中心的應用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”(開路)保護電器,而且這種方式類似于普通保險絲。不同的是,這些器件可以電子復位到導電狀態。eFuse提供一些額外的功能,其規格不斷提高:我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過流保護、熱關斷、三態使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護。
     
    不是所有的eFuse都相同。在當今的電力系統中,能效是關鍵,較低性能的eFuses其實可以對系統的整體性能產生有害的影響。關鍵的參數是eFuse的靜態電阻RDS(ON) ,由內部MOSFET確定。低的RDS(ON)值確保正常運行時的功率傳輸是高效的和極低功耗的。更高效的運行還支持在較高環境溫度下工作,而器件升溫相對較低,這意味著需要較少的冷卻,從而可節省空間。雖然eFuses的工作溫度可達150?C,但工作溫度越低,使用壽命越長。這一點尤其重要,因為數據中心的硬件被期望能工作10年或更長。
     
    安森美半導體最新的eFuse(NIS5431 和NIS5452)的RDS(ON) 的典型值僅33m?,比前代的NIS5135低一半。如圖1所示,較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET,由電荷泵升壓。
     
    保護數據以保護世界不受壞人破壞
    圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。
     
    在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從懸崖扔到飛泉洶涌的水下后,一個受傷的蜘蛛俠從潮濕的山洞里溜出來,蹲在邊上盯著它,然后在一個不可能的角度溜下巖壁。差不多六個小時后,他取回了電子產品,并送到數據醫學實驗室進行分析。果然,eFuse保護了SSD免受有害電擊的損壞,這只是個時間問題,然后閃存芯片被從設備中取出,并被安裝到一個新的機箱中,提供獲取豐富的數據,包括用來譯碼惡人名字、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數據。
     
    如果要求eFuse的額定電流超過5A,可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出并聯在一起。由于RDS(ON)的正溫度系數,均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。
     
    保護數據以保護世界不受壞人破壞
    圖2. 評估板展示4個NIS5452的并行配置。
     
    保護數據以保護世界不受壞人破壞
    圖3. 4個NIS5452器件并行,總電流20A,最高殼溫56攝氏度。
     
    內部高能效的SenseFET架構支持限流以保護免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節省檢測電阻的功耗和便于通過外部電阻RLIMIT編程??烧{的轉換速率特性控制浪涌電流,同時為高容性負載提供電源。
     
    可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 標準評估板上測試最新的NIS5452 和NIS5431 ,以簡化測試。請點擊這里獲取更多信息或聯系您當地的銷售代表以申請評估板和樣品,和您在打擊犯罪的努力中所需要的任何其他幫助!
     
     
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