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    高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC的特點(diǎn)及其應(yīng)用

    發(fā)布時(shí)間:2021-11-09 來源:Leiditech 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3,其觸發(fā)開通電壓在30V左右,觸發(fā)電流較小(mA級),導(dǎo)通后的殘余電壓在20V左右,這些特點(diǎn)決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current),它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量,可提供較大的開啟電流。


    1特性


    在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3,其觸發(fā)開通電壓在30V左右,觸發(fā)電流較小(mA級),導(dǎo)通后的殘余電壓在20V左右,這些特點(diǎn)決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current),它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量,可提供較大的開啟電流。


    2 SIDAC的基本工作原理


    SIDAC是基于晶閘管原理和結(jié)構(gòu)的一種兩端負(fù)阻器件。由于被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)兩端的壓降只有1.5V左右,因此這種器件的工作狀態(tài)類似一個(gè)開關(guān),故SIDAC又稱為雙向觸發(fā)開關(guān)。SIDAC的伏安特性見圖1。一旦加在SIDAC兩端的電壓超過其擊穿電壓UBO,便會通過一個(gè)負(fù)阻區(qū)立刻轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。低的導(dǎo)通壓降使其具有非常低的功率損耗,可在瞬間提供很大的電流。只有當(dāng)流過SIDAC的電流中斷,或者低于其維持電流IH時(shí),SIDAC才會自動(dòng)由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)到截止?fàn)顟B(tài)。


    19.png

    圖1SIDAC的伏安特性曲線


    ●     圖中UBO-轉(zhuǎn)折電壓

    ●     IBO-轉(zhuǎn)折電流

    ●     UDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

    ●     IDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電流

    ●     IH-維持電流

    ●     US-開通電壓

    ●     IS-開通電流

    ●     UT-通態(tài)電壓


    SIDAC的電路符號,見圖2。


    20.png

    圖2SIDAC電路符號


    3 SIDAC的特點(diǎn)


    (1)SIDAC的觸發(fā)電壓高,范圍寬,目前可做到90V~330V。


    (2)SIDAC具有負(fù)阻特性,通態(tài)電壓UT非常低,只有1.5V左右,所以瞬間能通過較大的電流。


    (3)SIDAC是一種無極性的雙向觸發(fā)器件,一個(gè)周期浪涌電流ITSM可達(dá)20A,通過電感使已充滿了電的電容放電,產(chǎn)生高能量的高壓脈沖。


    (4)SIDAC一旦導(dǎo)通便處于自鎖狀態(tài),只有流過其本身的電流中斷或小于維持電流IH時(shí),才會關(guān)斷。


    (5)響應(yīng)速度快(ns級)。


    (6)封裝形式靈活多樣。可采用DO-41,DO-201AD,TO-92,TO-220塑料樹脂封裝。既可單芯片封裝,也可多芯片封裝在一起。


    (7)采用玻璃鈍化工藝,耐高溫特性好,可靠性高。


    4典型應(yīng)用


    SIDAC的應(yīng)用十分廣泛。目前已大量用于高能量的起輝(點(diǎn)火)電路、高壓發(fā)生器、過壓保護(hù)、振蕩器、代替晶閘管電路等方面。


    (1)高壓發(fā)生器電路,見圖3。該電路可用于空調(diào)、電冰箱,作為電子殺菌、除臭用。


    (2)低電壓輸入的電子起輝電路,見圖4。


    21.png

    圖3高壓發(fā)生器電路


    22.png

    圖4電子起輝電路


    (3)高壓鹵素?zé)羝疠x電路,見圖5。


    (4)晶閘管替代電路,見圖6。


    (5)張弛振蕩器電路,見圖7。限流電阻R的選?。?/p>


    23.png

    圖5鹵素?zé)羝疠x電路


    24.png

    圖6晶閘管替代電路


    25.png

    (a)電路


    26.png

    (b)波形

    圖7張弛振蕩電路


    Rmax≤(Ui-UBO)/IBO

    Rmin≥(Ui-UTM)/IH(min)


    (6)晶體管保護(hù)電路,見圖8。當(dāng)用一個(gè)晶體管來斷開一個(gè)感性負(fù)載時(shí),C-E結(jié)會出現(xiàn)瞬時(shí)過壓現(xiàn)象,SIDAC可用來保護(hù)晶體管的安全。


    27.png

    (a)電路


    28.png

    (b)波形

    圖8晶體管保護(hù)電路


    注:(1)調(diào)整輸入脈沖寬度tW,使IC=0.63A



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