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    自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試

    發(fā)布時(shí)間:2023-09-06 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資,特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告,到 2050 年,幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。


    減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資,特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告,到 2050 年,幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。


    自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試


    越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的,包括比硅器件更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的功率密度、更好的頻率響應(yīng)、更小的泄漏電流、更低的導(dǎo)通電阻以及更高的工作溫度。結(jié)果是提高了運(yùn)行效率,降低了能耗,有助于遵守法規(guī)和認(rèn)證要求,以及符合當(dāng)前的 JEDEC JC-70 寬帶隙電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)。為了確保合規(guī)性,需要對(duì)這些先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行全面測(cè)試,這不僅富有挑戰(zhàn)性,還需要新的測(cè)試策略。


    泰克在最近的文章“自動(dòng)執(zhí)行 WBG 器件的雙脈沖測(cè)試”中探討了如何通過(guò)對(duì) SiC 和 GaN 功率器件等寬帶隙器件自動(dòng)執(zhí)行雙脈沖測(cè)試,從而顯著縮短設(shè)置和分析時(shí)間。


    驗(yàn)證基于 SiC 或 GaN 的 WBG 器件時(shí),工程師必須測(cè)試多個(gè)參數(shù),包括:

    ●   開(kāi)關(guān)損耗:精確的時(shí)間對(duì)齊至關(guān)重要。捕獲信號(hào)時(shí)的納秒誤差可能會(huì)導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。

    ●   峰值電壓:在大電流、高速硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中,常常會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰。

    ●   峰值電流:WBG 晶體管的快速開(kāi)關(guān)操作會(huì)產(chǎn)生尖峰電流,給器件施加壓力,并可能縮短器件的使用壽命。

    ●   反向恢復(fù)電荷:對(duì)反向恢復(fù)電荷行為進(jìn)行量化,以了解其對(duì)總損耗的貢獻(xiàn)。


    自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試


    雙脈沖測(cè)試 (DPT) 是測(cè)量寬帶隙 (WBG) 器件的開(kāi)關(guān)和二極管反向恢復(fù)參數(shù)的首選方法。這種高效的測(cè)試方法可以收集關(guān)鍵測(cè)量結(jié)果,從而高效地驗(yàn)證和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。文中詳細(xì)闡述了 DPT 信號(hào)的定義,分享了帶有測(cè)量軟件的示波器如何實(shí)現(xiàn)自動(dòng)測(cè)試設(shè)置、執(zhí)行和分析。自動(dòng)測(cè)量軟件通過(guò)消除手動(dòng)步驟來(lái)簡(jiǎn)化流程,既能節(jié)省時(shí)間,又能確保結(jié)果的一致性和可重復(fù)性。


    雙脈沖測(cè)試 (DPT) 方法是評(píng)估功率器件的開(kāi)關(guān)參數(shù)和動(dòng)態(tài)行為的首選方法。采用自動(dòng) DPT 設(shè)置和分析,可以顯著縮短測(cè)試時(shí)間,加快下一代電源轉(zhuǎn)換器的上市速度。此外,完全遠(yuǎn)程控制運(yùn)行測(cè)試可以提高安全性,避免與高電壓、高電流的被測(cè)設(shè)備 (DUT) 直接接觸。


    臨界值的測(cè)量和功能性的確保對(duì)于滿足能源需求和推動(dòng)全球碳減排至關(guān)重要。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),必須對(duì)新材料進(jìn)行研究和測(cè)試,使我們更接近滿足能源需求和遵守新效率標(biāo)準(zhǔn)的目標(biāo)。值得注意的是,可通過(guò)及時(shí)采取行動(dòng)和推動(dòng)功率器件技術(shù)的進(jìn)步來(lái)緩解彭博社預(yù)估的 27% 的增長(zhǎng)率。


    自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試


    應(yīng)用筆記 – 使用示波器和任意函數(shù)發(fā)生器對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行雙脈沖測(cè)試– 提供有關(guān)此主題的更多詳細(xì)信息。


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