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    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?

    發(fā)布時間:2024-03-27 責任編輯:lina

    【導讀】隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應用越來越廣泛(智能化),芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高,這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點,這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。


    隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應用越來越廣泛(智能化),芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高,這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點,這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為:ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。


    其中在很多器件的ESD性能,都會使用TLP 測試,除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外,還需要使用示波器對其脈沖進行測量。


    TLP測試


    TLP(Transmission Line Pulse)測試又稱為傳輸線脈沖測試,是對靜電防護半導體器件進行描述的一種常用方法。1985年由Maloney等人就提出的ESD模擬方法,與傳統(tǒng)的HBM、MM、CDM、IEC模型不同,傳輸線脈沖發(fā)生器發(fā)出的是靜電模擬方波,而傳統(tǒng)模式發(fā)出的則是RC-LC模式的脈沖波形。


    對于其他(CDM、HBM、MM等)的靜電模型,在相同損傷能量下,TLP與各種靜電模型均有近似的等效關系,同時考慮到上升沿的觸發(fā)效應,因此,一般會使用相近的脈寬和上升沿進行等效,通過進一步的影響評估,即可確認合適的不同模型靜電等效方波,通過方波測出上述曲線,即可用于該靜電模型下的ESD防護設計仿真,利用測試波形結果中的開啟-關斷特性,即可知道器件在相應模型下的響應情況。而對于IEC、火花放電等兩/三階段模型則需要通過分階段(如超快階段和普通階段)進行測試分析。


    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?


    TLP的特點

    • 不模擬真實靜電放電

    • 記錄被測的故障等級和特性

    • Characterization/表征測試

    換言之,TLP設備可模擬各種形式的ESD脈沖,在靜電損傷和上升沿觸發(fā)兩方面都可以提供近似的模擬,因此,也可以認為兩者是一致的。而在這種近似認同下,則TLP可以提供ESD過程中的IV、IT、VT三種不同的關鍵曲線,而這種曲線是其它模型所不能提供的。


    需要注意的是:TLP脈沖式方波,與真實情況有一定的出入,雖然可以近似模擬,但總是會有一定的差別,完全采信TLP結果,可能會導致考核值與其它廠家的設備有一定的差異,更有甚者,由于芯片的電荷存儲效應,不同廠家的ESD測試設備之間測試結果也有一定的差異;此外,TLP系統(tǒng)是超快脈沖,輕微的寄生即可導致波形畸變,多通道的TLP系統(tǒng)在實現(xiàn)上難度較大,因此,替換常規(guī)ESD測試設備的可行性較弱。


    測試


    利用傳輸線產(chǎn)生的矩形短脈沖來測量ESD保護元件的電流-電壓特性曲線的方法,通過將懸空電纜充電至預定電壓并將其放電至被測器件(DUT)來生成方波。通過改變電纜長度和濾波器特性,很容易改變脈沖寬度和上升時間。


    充電電壓源(VHV)提供額定能量,給傳輸線(TL)充電,產(chǎn)生一個窄方波(75ns~200ns)當開關S閉合時,被測器件(DUT)接入傳輸線路,產(chǎn)生的窄方波被作用到DUT的保護結構上。通過示波器獲取的測量值,再根據(jù)運算得到DUT兩端的電壓和電流值。


    其中,我們會使用TLP發(fā)生器產(chǎn)生相關的脈沖信號,使用示波器對DUT的電壓電流進行監(jiān)控測試,測試配置參考下圖。由于脈沖信號的脈寬非常窄,同時信號上升時間為ns級,所以我們需要配置合適的示波器和相應的探頭進行測試,根據(jù)IEC61000-4-2給出的說明,這里我們需要配置1GHz測量帶寬的示波器和探頭。


    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?


    而對于VF-TLP測試對信號的要求更高,此時我們需要配置衰減器,高帶寬的短電纜,和高帶寬的示波器去完成相應的測試,測試儀器的帶寬甚至要求達到20GHz左右。


    以下是各個ESD模型的經(jīng)驗對比值,當然這個經(jīng)驗值有時是值得商榷的。

    TLP的It2*1500Ω=HBM值

    MM*(9~10)=HBM

    IEC+(1.3k~2k)=HBM


    具體的測試步驟可以參考以下說明:

    1.使用TLP pulser發(fā)出脈沖,使用示波器和對應的探頭、測試線纜、衰減器等測試DUT端對應的電壓電流,描繪響應的曲線。TLP Pulser打出指定電壓V1的脈沖,示波器記錄下電流I1。


    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?


    2.將測試線纜切換到SMU上測試DUT對應的漏電流。利用IFIM(Force I Measure I)功能,F(xiàn)orce電流I1,測量得到Leakage1。


    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?


    3.重復上述步驟,描繪對應的曲線,直至得到漏電流偏折點。


    【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP,怎么測?


    小結


    綜上所述,在TLP測試時,我們需要配置TLP的脈沖發(fā)生器去生成對應的脈沖,而測試設備我們根據(jù)實際需求去進行搭配,里面會使用到的設備有:

    a)Tektronix示波器,推薦使用MSO5/6示波器

    b)對應的測試探頭或者衰減器和測試線纜等(以上設備用于測試DUT上加載的脈沖信號的電壓電流,對應的帶寬采樣率需求根據(jù)TLP測試加載的脈沖信號選擇,>1GHz帶寬,3GS/s以上的采樣率,測試繪制對應的IV曲線)

     c)Keithley的儀器,SMU和6485測試設備:SMU為測試提供偏置電壓,加載電流;漏流測試根據(jù)信號大小,推薦選擇2450或者6485等測試設備


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