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    低壓MOS在多電平逆變器上的應(yīng)用

    發(fā)布時(shí)間:2024-05-10 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】多電平逆變器,是一種新型逆變器。常規(guī)逆變器,在單橋臂上采用單個(gè)開關(guān)器件。多電平逆變器在單橋臂上包含多個(gè)串聯(lián)開關(guān)器件,能夠精細(xì)地控制輸出電壓。將逆變輸出的正弦波進(jìn)行微分,微分?jǐn)?shù)量越多,越接近正弦波。常見的多電平逆變器有三、五、七電平等。其功率開關(guān)元件工作在較低的頻率上,使功率元件的開關(guān)損耗減小,產(chǎn)生的電磁干擾較小,逆變器效率更高。缺點(diǎn)是需要用到更多數(shù)量的功率開關(guān)元件,對(duì)驅(qū)動(dòng)調(diào)制以及測(cè)試驗(yàn)證的技術(shù)要求更高。


    一、前言


    多電平逆變器,是一種新型逆變器。常規(guī)逆變器,在單橋臂上采用單個(gè)開關(guān)器件。多電平逆變器在單橋臂上包含多個(gè)串聯(lián)開關(guān)器件,能夠精細(xì)地控制輸出電壓。將逆變輸出的正弦波進(jìn)行微分,微分?jǐn)?shù)量越多,越接近正弦波。常見的多電平逆變器有三、五、七電平等。其功率開關(guān)元件工作在較低的頻率上,使功率元件的開關(guān)損耗減小,產(chǎn)生的電磁干擾較小,逆變器效率更高。缺點(diǎn)是需要用到更多數(shù)量的功率開關(guān)元件,對(duì)驅(qū)動(dòng)調(diào)制以及測(cè)試驗(yàn)證的技術(shù)要求更高。


    低壓MOS在多電平逆變器上的應(yīng)用 


    二、多電平逆變器工作原理


    橋式電路常見于普通二電平逆變器電路的一部分。通過上下兩個(gè)橋臂組成,實(shí)際應(yīng)用中根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景不同,分為單相和三相。MOS管Q1和Q2位于電壓源和地線之間,通過控制Q1和Q2的通斷,由中點(diǎn)輸出所需電壓。(見圖1)

    二電平逆變器工作波形如圖所示,輸出電壓有兩個(gè)電平,當(dāng)Q1導(dǎo)通,Q2關(guān)斷時(shí)為U(電壓源電壓),當(dāng)Q1關(guān)斷,Q2導(dǎo)通時(shí)為0(接地電壓)。(見圖2)


    低壓MOS在多電平逆變器上的應(yīng)用 


    二電平逆變器每個(gè)橋臂中只有一個(gè)開關(guān)器件,而多電平逆變器每個(gè)橋臂中有多個(gè)開關(guān)器件串聯(lián)而成。(見圖3)


    工作周期分別為Q1和Q2導(dǎo)通,Q2和Q3導(dǎo)通,Q3和Q4導(dǎo)通。輸出電壓有三個(gè)電平,Q1和Q2導(dǎo)通時(shí)為U,Q2和Q3導(dǎo)通時(shí)為U/2,Q3和Q4導(dǎo)通時(shí)為0。(見圖4)


    低壓MOS在多電平逆變器上的應(yīng)用 


    假如以上兩個(gè)逆變器的電壓源電壓都是U時(shí),理論上二電平逆變器的輸出電壓振幅是U,因?yàn)檩敵鲭妷簽閁和0,每個(gè)器件上施加的電壓也是U。而三電平逆變器的輸出電壓振幅是U/2,因?yàn)檩敵鲭妷簽閁、U/2和0,那么施加到每個(gè)器件的電壓也是U/2。因此,對(duì)于三電平逆變器,每個(gè)開關(guān)器件上施加的電壓變?yōu)槎娖侥孀兤鞯囊话耄墒褂媚蛪簻p半的器件。


    三、選型推薦


    瑞森半導(dǎo)體低壓MOS系列,突破性的FOM優(yōu)化,覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景。極低導(dǎo)通電阻,低損耗,高雪崩耐量,高效率。產(chǎn)品穩(wěn)定,性能可靠,滿足惡劣環(huán)境工況下使用。多種封裝,多種內(nèi)阻,多種耐壓,產(chǎn)品參數(shù)系列齊全,滿足不同電壓,不同功率的多電平逆變器使用要求。


    低壓MOS在多電平逆變器上的應(yīng)用 

     

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