【導讀】在工業(yè)電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時切斷電流。
摘要
在工業(yè)電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時切斷電流。
可靠的工業(yè)電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖1所示的采用ADI LTC4380的保護電路。在該電路中，功率開關M1位于電流傳導路徑上。當VIN時發(fā)生過壓時，開關M1將在線性區(qū)域內工作，使其表現為歐姆區(qū)域的電阻，從而通過MOSFET M1上的壓降來調節(jié)VOUT。這一機制可有效防止輸出電壓升高至過高水平，從而保護下游電子設備。然而，這種保護方法的有效時間是有限的，持續(xù)時間由開關M1的許可安全工作區(qū)(SOA)決定。如果功率MOSFET上的壓降一直很高且持續(xù)時間超過了限制，MOSFET的溫度將超過其最高溫度閾值，可能導致器件損壞。LTC4380等集成電路內置了定時器，以防止過壓情況的發(fā)生。定時器中設定了MOSFET在過壓條件下在線性區(qū)域工作的時長，通常為數毫秒或數微秒。一旦設定時間結束，開關M1將完全斷開，從而保護開關本身，但這也意味著系統(tǒng)的電源將被切斷。
圖1.采用線性浪涌保護器IC進行過壓保護（簡化電路）。
為了確保工業(yè)電子設備在任何情況下都能可靠運行并獲得不間斷電源，選擇能夠長時間耐受過壓的解決方案至關重要。這包括考慮故障情形，例如電源線路連接錯誤可能會導致過壓。通過選擇能夠應對這些情況的解決方案，電路可以可靠運行并避免電源電壓中斷。此類解決方案可通過圖2所示的開關浪涌保護器來實現。
圖2.無過壓時間限制的開關過壓保護電路（簡化電路）。
在圖2所示的電路中，除了浪涌保護器IC，還使用了電感和外部肖特基二極管。降壓開關穩(wěn)壓器作為保護電路運行。然而，僅當輸入電壓超過設置的最大值時，該開關穩(wěn)壓器才會開始工作。此時間段內的工作通常不需要特別注重能效。簡單的肖特基二極管可用作反激二極管。
圖3.輸入電壓和輸出電壓對過壓的響應（上圖），以及高頻范圍內開關節(jié)點處的開關電壓（下圖）。
在圖3中，藍色顯示輸入電壓響應。正常輸入電壓為16 V。大約2 ms時，過壓達到40 V。紅色顯示輸出電壓隨時間的變化。在VIN過壓持續(xù)期間，開關DC-DC穩(wěn)壓器激活，將輸出電壓調節(jié)到16 V。綠色顯示區(qū)域為開關節(jié)點電壓（在MOSFET、肖特基二極管和電感之間的節(jié)點處）。
因此，如圖1所示，過壓保護電路可以采用線性設計，或者采用特殊的開關（降壓）DC-DC穩(wěn)壓器，比如圖2中的LTC7860。簡單的降壓開關穩(wěn)壓器不適合此應用，因為在這種情況下，N溝道MOSFET無法持續(xù)導通。
過壓保護電路包括線性浪涌保護器和開關浪涌保護器IC。有了開關浪涌保護器，即使遭遇長時間過壓，電路也能持續(xù)工作。這意味著即使過壓持續(xù)很長時間，被供電電路仍持續(xù)受到保護并正常工作。
結論
越來越多的工業(yè)和儀表應用要求使用精密轉換器來實現各種工藝的精確控制與測量。此外，這些最終應用還要求更高的靈活性、可靠性和功能集，同時降低成本和電路板面積。元件制造商正在解決這些難題，并推出了一系列產品來滿足系統(tǒng)設計人員對當前與未來設計的要求。如本文所述，有多種途徑可選擇合適的元件用于精密應用，每一種都各有優(yōu)缺點。隨著系統(tǒng)精度的提高，人們需要更加注重合適元件的選擇，以滿足應用要求。
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