- 占板空間僅為64平方毫米，高度僅為1毫米
- 具備2nH的極低寄生電感
- 其獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號(hào)
- 功率MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼，滿(mǎn)足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝：英飛凌和意法半導(dǎo)體將推出采用這種創(chuàng)新封裝的MOSFET，分別為T(mén)hinPAK 8x8（英飛凌）和PowerFLAT™ 8x8 HV（意法半導(dǎo)體），為客戶(hù)提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。
英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出：“今天我們與意法半導(dǎo)體合作推出的新型封裝，為高壓MOSFET的無(wú)管腳SMD封裝樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿。CoolMOS™ 等硅技術(shù)已發(fā)展到可高效快速開(kāi)關(guān)的高級(jí)階段。在該階段，傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)過(guò)孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進(jìn)一步提升的因素。”
ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感（D2PAK的寄生電感為6nH）、與D2PAK類(lèi)似的散熱性能，而且其獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號(hào)。因此，ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實(shí)現(xiàn)更快速、高效的開(kāi)關(guān)，更輕松地處理開(kāi)關(guān)行為和電磁干擾。
初期，英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件：199毫歐（IPL60R199CP）、299毫歐（IPL60R299CP）和385毫歐（IPL60R385CP）。
供貨
采用ThinPAK 8x8封裝的新器件樣品目前已開(kāi)始提供。量產(chǎn)時(shí)間可根據(jù)從訂貨到交貨的標(biāo)準(zhǔn)周期確定。
