產(chǎn)品特性：
- 改善了電流處理能力
- 提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇
- 可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
- 達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用范圍：
- 電池充電和放電開(kāi)關(guān)
- 直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個(gè)新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇，以適應(yīng)他們對(duì)溫度和成本的要求。同時(shí)，P 溝道技術(shù)也可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。”
P 溝道 MOSFET器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
新器件現(xiàn)已接受訂單，數(shù)據(jù)和應(yīng)用說(shuō)明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。
