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    2010中國(guó)功率MOSFET領(lǐng)域增長(zhǎng) 明年放緩

    發(fā)布時(shí)間:2010-11-29 來(lái)源:21ic

    中國(guó)功率MOSFET的機(jī)遇與挑戰(zhàn):

    • 2010中國(guó)功率MOSFET領(lǐng)域增長(zhǎng)

    中國(guó)功率MOSFET的市場(chǎng)數(shù)據(jù):

    • 2010年功率MOSFET銷售增長(zhǎng)50%以上
    • 2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到24億美元


    據(jù)iSuppli公司,由于2010年銷售增長(zhǎng)50%以上,而且產(chǎn)量有限,英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對(duì)中國(guó)市場(chǎng)實(shí)行配給,而且交貨期拉長(zhǎng)。

    2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到24億美元,比2009年的16億美元增長(zhǎng)53%。下圖所示為iSuppli公司對(duì)2009-2014年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的預(yù)測(cè)。
     

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    iSuppli公司預(yù)計(jì),2010年剩余時(shí)間內(nèi)將保持供應(yīng)短缺和交貨期延長(zhǎng)局面,同時(shí)供應(yīng)商努力增加產(chǎn)能。另外,某些MOSFET類型和封裝供應(yīng)緊張的局面,目前預(yù)計(jì)至少持續(xù)到2011年第一季度,因?yàn)榈侥菚r(shí)新增產(chǎn)能才會(huì)投產(chǎn),測(cè)試與裝配資源增多。

    功率MOSFET的收入來(lái)源
    2009年功率MOSFET市場(chǎng)銷售收入的主要來(lái)源是三個(gè)領(lǐng)域:數(shù)據(jù)處理占銷售收入的41%,消費(fèi)電子占25%,通信占23%。

    由于政府繼續(xù)支持通信產(chǎn)業(yè),而且運(yùn)營(yíng)商保持對(duì)新通信網(wǎng)絡(luò)的投資,包括有線與無(wú)線在內(nèi)的通信產(chǎn)業(yè),2010年將創(chuàng)造6.17億美元的功率MOSFET銷售收入,高于2009年的3.65億美元。相比之下,消費(fèi)電子2010年將創(chuàng)造5.7億美元的功率MOSFET銷售收入。預(yù)計(jì)2010年汽車市場(chǎng)將創(chuàng)造1.01億美元的功率MOSFET銷售收入,比2009年勁增64%。

    由于低電壓應(yīng)用的數(shù)量通常隨著數(shù)據(jù)處理和通訊設(shè)備所使用的處理器等器件的數(shù)量增長(zhǎng),功率MOSFET的多數(shù)銷售收入來(lái)自低電壓MOSFET。低電壓MOSFET在2009年占該市場(chǎng)的51%,iSuppli公司認(rèn)為,2011年將繼續(xù)占有最大份額。

    今年大部分時(shí)間功率MOSFET需求強(qiáng)勁,第四季度銷售額增長(zhǎng)速度將會(huì)放慢,并在2011年第一季度觸底。隨后在2011年剩余時(shí)間恢復(fù)溫和增長(zhǎng)。iSuppli公司預(yù)測(cè),2009-2014年整體MOSFET市場(chǎng)的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)20%。

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