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LED驅(qū)動模塊RSC6218A 5W-18W迷你高效驅(qū)動電源應用
REASUNOS(瑞森半導體)通過持續(xù)投入研發(fā)，提升LLC應用技術(shù)，集成控制芯片與功率轉(zhuǎn)換，成功推出新一代產(chǎn)品RSC6218A WSOP-16，延續(xù)瑞森LLC拓撲方案，時機趨勢完全迎合我國雙碳政策，電氣特性契合新版國標GB/T 17625.1-2022和歐盟新版ERP認證EU2019/2020雙重法規(guī)，專為中小功率的產(chǎn)品提供優(yōu)秀的方案；接下來會分幾個篇章持續(xù)介紹新方案產(chǎn)品的應用資料和設(shè)計實例分享。
2024-04-28
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瑞森半導體新品攻略—小功率、小體積、高效率！LED驅(qū)動模塊RSC6218A
瑞森半導體（REASUNOS）推出應用在5W-18W LED電源上的LED驅(qū)動模塊RSC6218A。LED驅(qū)動模塊RSC6218A是一款LLC 諧振拓撲功率模塊，帶有半橋驅(qū)動的控制電路和功率轉(zhuǎn)化器件，適用于 LED 恒流控制線路，電路工作頻率可達200KHz。
2024-04-12
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更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動模塊和開箱即用的電機開發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個領(lǐng)域，實現(xiàn)對能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實現(xiàn)更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機驅(qū)動、泵、風扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應用。
2020-12-09
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LED驅(qū)動模塊在汽車照明中的新機遇
隨著LED照明在汽車電子領(lǐng)域的飛速發(fā)展，新的LED挑戰(zhàn)也接踵而至。本文介紹了當今照明電源設(shè)計師面臨的主要限制因素，并探討了如何利用MPS新型汽車LED模塊 —— MPM6010-AEC1 解決這些問題。
2020-02-05
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典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設(shè)計方案
功率場效應晶體管由于承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求，計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配之后，在此基礎(chǔ)上設(shè)計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實用性強，響應速度快等特點。在驅(qū)動無刷直流電機的應用中證明，該電路驅(qū)動能力及保護功能效果良好。
2016-07-15
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elmos推出72V集成模式BLDC直流無刷電機驅(qū)動解決方案
德國elmos公司日前宣布推出一款適用于直流無刷電機(BLDC)控制的單芯片方案E523.52。該芯片的最大輸入電壓為72V，集成了一個16bit的微控制器，為馬達控制特別設(shè)計的硬件外設(shè)，多路電源發(fā)生器，MOSFET預驅(qū)動模塊以及運算放大器。在使用N溝道MOSFET的情況下，E523.52最大可驅(qū)動1000W左右的直流無刷電機。
2015-06-04
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電機驅(qū)動模塊的電路設(shè)計與實現(xiàn),全速運轉(zhuǎn)是關(guān)鍵
驅(qū)動電路采用H型橋式PWM脈寬調(diào)制驅(qū)動形式，如圖1所示。電路主要由大功率三極管B772、D882、三極管8050和光電耦合器等元件組成。該驅(qū)動電路可控制電機的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和停止。
2014-09-27
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基于2SD315模塊的IGBT驅(qū)動保護電路設(shè)計
IGBT 驅(qū)動保護電路是IGBT可靠、穩(wěn)定、高效運行的基礎(chǔ)，也是IGBT所構(gòu)成系統(tǒng)可靠運行所必不可少的。本文所提出的IGBT驅(qū)動保護電路是應用于二極管箝位式的三電平變頻器當中，在介紹IGBT主要特性的前提下，介紹應用CONCEPT公司的2SD315模塊設(shè)計具有高可靠性、高集成度，高效率等特點的 IGBT驅(qū)動保護電路，最后給出以型號為2SD315AI-33驅(qū)動模塊的實際驅(qū)動電路。
2013-08-24
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解讀各種IGBT驅(qū)動電路和IGBT保護方法
保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動電路和IGBT的保護，包括驅(qū)動電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護方法。
2013-08-08
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如何解決驅(qū)動單元設(shè)計中的電磁兼容問題
驅(qū)動單元的主電路都有可能對電磁環(huán)境存在干擾，所以在設(shè)計驅(qū)動模塊時，電磁兼容性問題就是我們必須考慮的問題，從而避免驅(qū)動單元對外界的干擾。本文介紹了電磁兼容基本原理、電磁兼容的實施辦法，并且主對諧波電流的抑制方法進行了具體闡述，同時對其它干擾也介紹了處理方法。
2013-04-19
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充分發(fā)揮MOSFET優(yōu)點的電機保護電路設(shè)計
如何設(shè)計出可靠和合理的驅(qū)動與保護電路，對于充分發(fā)揮MOSFET功率管的優(yōu)點，起著至關(guān)重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和關(guān)鍵。文中用IR2130驅(qū)動模塊為核心，設(shè)計了功率MOSFET驅(qū)動保護電路應用與無刷直流電機控制系統(tǒng)中，同時也闡述了本電路各個部分的設(shè)計要求。該設(shè)計使系統(tǒng)功率驅(qū)動部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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實例分析，MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計
本文以IR2130驅(qū)動模塊為核心，分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求，并且計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗以及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配，而且還設(shè)計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護電路。
2013-03-15
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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