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    新型材料的電力電子器件:碳化硅功率器件

    發布時間:2010-12-16 來源:中采網ic160.com

    碳化硅的機遇與挑戰:
    • 是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料
    • 將對半導體材料產生革命性的影響
    • 將成為功率器件研究領域的主要潮流之一
    • 技術需要時間磨合
    碳化硅的市場數據:
    • 將在今后5~10年內出現SIC的新器件

    碳化硅是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料,在電力電子方面也是很重要的,可制作出性能更加優異的高溫(300℃~500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設備的節能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5~10年內出現,并將對半導體材料產生革命性的影響。

    SIC可以用來制造射頻和微波功率器件、高頻整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SIC高頻功率器件已在Motorola公司研發成功,并應用于微波和射頻裝置;美國通用電氣公司正在開發SIC功率器件和高溫器件;西屋公司已經制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET;ABB公司正在研制用于工業和電力系統的高壓、大功率SIC整流器和其他SIC低頻功率器件。

    理論分析表明,SIC功率器件非常接近理想的功率器件。我們可以預見,各種SIC器件的研發必將成為功率器件研究領域的主要潮流之一。但是我們也要清醒的看到,SIC材料和功率器件的機理、理論和制造工藝均有大量的問題需要去解決,它要真正給電力電子技術領域帶來新的革命,估計還需要時間的等待。
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