新聞事件：
- 飛兆半導體和英飛凌科技公司宣布就H-PSOF MOSFET封裝技術達成許可協議
事件影響：
- 封裝高度降低了50%
- 占用空間減小了20%以上
- 這項協議為設計人員提供了可靠的創新型封裝來源
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成許可協議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
這款封裝專為包括混合動力車輛電池管理、電動助力轉向(EPS)、主動式交流發電機(active alternator)和其他大負載電氣系統在內的大電流汽車應用而設計。TO無鉛封裝是首個具有300A電流處理能力的封裝。這種封裝在線路板占用空間方面比現今的D2PAK封裝具有更顯著優勢，占用空間減小了20%以上，封裝高度降低了50%。
為了滿足更高效率和更低排放強制要求，開發新型啟-停系統、電動助力轉向、電池管理和主動式交流發電機的汽車電子企業不斷尋求創新型解決方案，同時必須盡可能減小產品由單一供應商供貨的風險。為了確保可靠的產品供應，飛兆半導體和英飛凌達成此項協議，目的是將先進的TO無鉛MOSFET方案帶入汽車市場，同時最大限度地減小單一供應商來源的相關風險。
飛兆半導體將TO無鉛功率封裝技術用于其最新的MOSFET技術，預計于2012年下半年提供首個采用TO無鉛封裝的MOSFET器件，并于2013年年中提供在產器件。
飛兆半導體汽車業務部副總裁Marion Limmer表示：“飛兆半導體在服務汽車工業方面擁有悠久歷史，在滿足當今汽車制造商對功率半導體的需求方面處于領先地位。飛兆半導體通過引入這種TO無鉛功率封裝技術，正在幫助設計人員利用最新的低電阻MOSFET技術，進一步擴大我們在汽車市場的影響力。”
英飛凌科技汽車分部總裁Jochen Hanebeck表示：“有了這項協議，汽車行業便可受益于可靠的第二來源供應商，獲取在占用空間、效率和性能方面具有諸多優點的大電流功率器件。作為汽車功率應用的領先廠商，英飛凌利用專門的技術知識，為汽車系統供應商提供能夠實現更高效率和更高性能的MOSFET器件，同時將單一供應商來源的相關風險降低至最小。”
飛兆半導體與世界領先的汽車制造商和系統供應商進行合作，創建支持各種汽車應用半導體解決方案，包括優化現今車輛架構中的功率管理、降低油耗以及減少環境污染物質。
