【導(dǎo)讀】Diodes公司 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。這批首次推出的6.0V 基納二極管及開關(guān)二極管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的規(guī)格供應(yīng)，比采用DFN1006-2封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省70%的印刷電路板空間，并降低40%的離板高度。
為滿足平板電腦、手機(jī)等輕巧便攜式產(chǎn)品對(duì)組件微型化日益增長(zhǎng)的需求，Diodes公司 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。這批首次推出的6.0V 基納二極管及開關(guān)二極管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的規(guī)格供應(yīng)，比采用DFN1006-2封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省70%的印刷電路板空間，并降低40%的離板高度。X3-DFN0603-2封裝具備高效散熱設(shè)計(jì)，可達(dá)到250mW的功率耗散，亦可改善電氣性能，并能通過(guò)減少引線電感來(lái)提升效率。
Diodes已率先推出包含七款采用微型封裝的低漏電基納二極管系列，它們適用于電壓參考、電壓調(diào)整、過(guò)壓保護(hù)及受電壓限制的應(yīng)用。GDZ基納二極管可提供由5.1V至8.2V的額定電壓 (Nominal Voltage) ，而僅有±5% 的電壓誤差。
與此同時(shí)，Diodes 還推出了兩款額定電壓為85V的低電容 (CT≤3pF) 微型封裝開關(guān)二極管。1SS361LP3具有快速開關(guān) (tRR≤4ns) 的性能特點(diǎn)，而BSA116LP3的低漏電電流 (IR≤10nA) 則有助延長(zhǎng)電池壽命。
