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    電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨:IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件

    發(fā)布時(shí)間:2013-05-15 責(zé)任編輯:felixsong

    【導(dǎo)讀】IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅度提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件,預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù),氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻?hù)的主要應(yīng)用的性能指標(biāo)(FOM)提升10倍。

    國(guó)際整流器公司(IR)近日宣布,已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品,預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所生產(chǎn)。

    IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示:“IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)采用其尖端的氮化鎵技術(shù)平臺(tái)及IP產(chǎn)品組合的器件,成功保持了我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體器件市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位,同時(shí)預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨,這正與公司幫助客戶(hù)節(jié)省能源的核心宗旨相契合。我們完全可以預(yù)期,氮化鎵技術(shù)對(duì)電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的潛在影響能夠至少不遜色于我們30年前推出的功率HEXFET。”

    國(guó)際整流器公司推出的GaN
    圖示:國(guó)際整流器公司推出的GaN

    GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì):

    這一成就彰顯了IR在功率管理市場(chǎng)的戰(zhàn)略?xún)?yōu)勢(shì),即能夠提供一個(gè)帶來(lái)高資本效益的制造模式。相比最先進(jìn)的硅技術(shù),氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻?hù)的主要應(yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。這一新的里程碑表明IR一直致力于為客戶(hù)提供頂尖的功率管理技術(shù)。

    Khaykin總結(jié)稱(chēng):“長(zhǎng)期來(lái)看,氮化鎵技術(shù)適用于IR所有業(yè)務(wù)單元和產(chǎn)品線。我們欣然見(jiàn)證該技術(shù)成為公司長(zhǎng)期收入增長(zhǎng)和市場(chǎng)占有率擴(kuò)大的主要推動(dòng)力。我謹(jǐn)向所有相關(guān)人士致以衷心的謝意,并且祝賀他們?nèi)〉萌绱朔欠驳某删汀?rdquo;

    這款開(kāi)創(chuàng)先河的氮化鎵功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR歷經(jīng)10年,基于其專(zhuān)有的硅基氮化鎵磊晶技術(shù)進(jìn)行研發(fā)的成果。其高產(chǎn)量、150mm的硅基氮化鎵磊晶以及相關(guān)的器件制造工藝,能夠與IR現(xiàn)有的具備成本效益的硅制造設(shè)施完全匹配,為客戶(hù)提供商業(yè)可行的世界級(jí)氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。

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