【導讀】本篇文章對運算放大器當中的“典型值”進行了解析，并對其中三種較為令人難以捉摸的參數進行了進一步的解釋，希望大家在閱讀過本篇文章之后能對“典型值”有進一步的了解。
從事電源設計的朋友肯定都接觸過運算放大器，在運算放大器的說明書當中，有些參數的標注讓人看著并不那么明確其含義。比如有些參數并不能用最大或者最小來進行規范。所以有時不得不依靠規范表或者典型性能圖標中的典型值來作為參考，那“典型值”的含義是什么，其范圍又是多大呢？
要想回答這個問題并不容易，它取決于具體的規范。下面，我們對容易引起疑問的3個特性進行逐一說明：
帶寬
圖1
運算放大器的增益帶寬積（GBW）主要由輸入級電流和片上電容值控制。這兩個變量的變化，可產生的GBW變化范圍為±20%左右?？雌饋?，這是一個比較寬的范圍，但是通過選擇一個大裕量的運算放大器，卻可以更加輕松地進行大范圍GBW設計。如果必要，可以利用一些反饋組件，對應用的閉環帶寬進行控制。請注意，在開環增益/相位圖(請參見圖1)上，這種變化看起來非常的小。
轉換率
受到諸如帶寬、內部電流和電容等相同變量的影響。通常，選擇比最低需求速度高20%的運算放大器便已足夠?；蛘呦Ｍ谝恍┲匾膽弥袚碛懈嗟脑Ｓ嗔俊４蠖鄶祽貌⒉粫⒎糯笃魍聘咧疗滢D換率極限值附近，因此這樣做并無問題。
電壓噪聲
圖2
放大器的寬帶或者平帶電壓噪聲主要取決于一個或者多個輸入級晶體管的電流。大電流會以一種平方根的方式降低噪聲。因此20%的電流變化，可帶來約10%的平帶噪聲密度變化（請參見圖2）。
低頻1/f噪聲（也稱作閃爍噪聲）是另一回事，它的變化范圍更大。1/f區的噪聲振幅在約3：1范圍變化。JFET和CMOS制作工藝的差異可能稍大一些。該噪聲區域決定低頻帶（通常規定為0.1到10Hz）的峰值到峰值噪聲大小。
的確存在一些較好的指導原則，但卻無法詳細說明放大器設計和所用IC工藝的確切變化范圍。但是，有一些資料總比沒有強，并且大多數設計都可以較好地適應這些估計差異。
適合于應用的裕量，可能會隨設計的設備（也可能是您正進行的終端產品測試）類型而變化。裕量與規范不符會影響設計針對的目標余量。這種“工程判斷”是良好模擬設計的一個重要因素。
