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PAM-4印刷電路板最佳實踐
本設(shè)計實例討論了工程師在設(shè)計PCB上的PAM-4PHY 通道時應(yīng)遵循的關(guān)鍵實踐。實現(xiàn)50Gbps PAM-4 PHY鏈路時必須嚴格要求，確保在高速收發(fā)器之間實現(xiàn)穩(wěn)定的通信。
2017-08-07
技術(shù)實例 PCB設(shè)計 收發(fā)器
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超級結(jié)MOSFET帶來高壓器件變革，對比平面式高壓MOSFET優(yōu)點多
在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。那么，超級結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢在哪里？
2017-08-07
超級結(jié)結(jié)構(gòu) MOSFET技術(shù)
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干貨分享：關(guān)于電池系統(tǒng)短路保護層級的考慮
從高壓線束、電子控制的硬件電路、配電盒還有一些保護策略性的內(nèi)容開始，梳理簡單的內(nèi)容，然后進一步應(yīng)用到工作里面。電氣系統(tǒng)里面的影響是挺大的，而且很多內(nèi)容也是電池系統(tǒng)設(shè)計過程中，電氣部分需要設(shè)計承受的。
2017-08-04
電池系統(tǒng) 短路保護
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高壓IC可取代汽車浪涌抑制器件
卡車、汽車和重型設(shè)備環(huán)境對任何類型的電源轉(zhuǎn)換器件要求都非常嚴格。寬工作電壓范圍、很大的瞬態(tài)變化和溫度偏移給可靠、堅固的電子系統(tǒng)設(shè)計帶來了巨大挑戰(zhàn)。此外，有些應(yīng)用要求在引擎罩內(nèi)安裝電源轉(zhuǎn)換器件，因此需要這類器件能夠在 150°C 時運行。同時，電子組件數(shù)量不斷增加，可用空間不斷縮小，因...
2017-08-04
高壓IC 汽車電子 浪涌抑制
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讀懂超級結(jié)MOSFET，它的優(yōu)勢在哪里？
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。超級結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢在哪里？
2017-08-03
超級結(jié)MOSFET 電子元器件
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多級亮度LED控制器在關(guān)斷狀態(tài)下電流為零
本設(shè)計實例主要討論了：軟開關(guān)的導(dǎo)通/斷開操作；睡眠模式下漏電流為零；兩級調(diào)光；電池低電量保護；基于CMOS4017約翰遜計數(shù)器的簡單控制器。本設(shè)計可應(yīng)用于LED燈、閱讀燈、露營燈及通用照明。
2017-08-02
技術(shù)實例 LED控制 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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原來全是套路！三個經(jīng)典的RS-485端口EMC防護方案詳解
在實際的工業(yè)、電力、自動化及儀器儀表應(yīng)用中，RS-485總線標準是使用最廣泛的物理層總線設(shè)計標準之一，由于其會在惡劣電磁環(huán)境下工作，為了確保這些數(shù)據(jù)端口能夠在最終安裝環(huán)境中正常工作，它們必須符合相關(guān)的電磁兼容性(EMC)法規(guī)。在本文中，世健公司結(jié)合優(yōu)勢的代理線ADI（ RS-485芯片）、Bourns（...
2017-08-01
EMC防護 總線設(shè)計
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硬件仿真如何讓嵌入式系統(tǒng)便宜可靠
在當今競爭激烈的形勢下，使富含嵌入式軟件的復(fù)雜電子設(shè)備更快面市，但是同時確保其更便宜更可靠，是一種相當冒險的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計不可避免地導(dǎo)致返工，增加設(shè)計成本并延長布局流程的網(wǎng)表交付時間，并最終延遲上市時間目標，對收益源造成破壞性影響。
2017-08-01
硬件仿真 嵌入式系統(tǒng)
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基帶處理芯片共享高速存儲器模塊設(shè)計
本文介紹了一種共享高速存儲器模塊的設(shè)計。該高速存儲器能夠?qū)崿F(xiàn)多核處理器間的數(shù)據(jù)交換，同時占用較小的電路面積。相比傳統(tǒng)的多核處理器數(shù)據(jù)交換方式，本設(shè)計可以更好地提升系統(tǒng)性能。是一種有市場競爭力的電路設(shè)計結(jié)構(gòu)。
2017-07-31
存儲器模塊 芯片
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- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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