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如何利用MOSFET的三極管和飽和區與負載電阻配對以提供脈沖電流
當環境和電路設計變量影響輸出時,要確定具有負反饋的電路的穩定性并非易事。任何錯誤的計算都會成為電路異常行為(如振蕩和振鈴)的溫床。這就需要采取先發制人的測試程序,以最小化輸出波動的可能性。
2021-11-19
MOSFET 三極管 負載電阻
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如何選擇電源系統開關控制器的 MOSFET?
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中,這種情況會變得更加復雜。
2021-11-19
電源系統 開關控制器 MOSFET
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如何實現最佳的DCM反激式轉換器設計?
反激式轉換器在連續導通模式 (CCM) 和非連續導通模式 (DCM)下都可以工作。但對許多低功耗和低電流應用而言,DCM反激式轉換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細介紹此類轉換器的設計步驟。
2021-11-18
DCM反激式轉換器
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如何在48V系統中輕松應用GaN FET?
GaN FET可以應用在48V電源系統中,但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器,工程師們常利用DSP數字解決方案來實現其高頻和高效率設計。然而,DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器,它只需很少的器件,就可以讓設計人員像使用硅FET一樣簡單地設...
2021-11-17
48V系統 GaN FET
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干貨 | 指定支持Wi-Fi?的MCU時的注意事項
工業物聯網的發展趨勢是在一個SoC而非多個離散器件中執行更多功能,以精簡物料清單、降低設計風險、減少占用空間。Wi-Fi? MCU即是一個典型,它將Wi-Fi連接與處理器及所需GPIO集成在一起,以滿足多種應用的需求。在指定其中一個器件時,需要考慮多個因素,并需審慎進行選擇,因此務必對這些器件有所...
2021-11-17
Wi-Fi MCU
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保護器件過電應力失效機理和失效現象淺析
半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效,器件的過應力主要包括工作環境的緩變或者突變引起的過應力,當半導體元器件的工作環境發生變化并產生超出器件最大可承受的應力時,元器件發生失效。應力的種類繁多,如表1,其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應力失效
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基于模型的GAN PA設計基礎知識:GAN晶體管S參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
在簡單的線性射頻/微波放大器設計中,一般利用s參數匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會利用這些 S 參數數據來開發匹配網絡,以解決放大器穩定性問題。本文討論在設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過程中,使用模型模擬基本的 S 參數和穩定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩定性技術來幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數 電阻穩定性
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分析無芯變壓器柵極驅動器
功率器件在工業和汽車系統的設計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發無核片上變壓器,以實現穩健的隔離,這對SiC技術尤其有用。碳化硅已被引入工業和汽車市場的廣泛應用中,包括太陽能逆變器,所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
無芯變壓器 柵極驅動器
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適用于工業應用的 NAND 閃存
如今,在 NAND 閃存行業中,隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現了 100 層以上的技術,并且在短期內似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業應用 NAND 閃存
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