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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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單相光伏并網系統的拓撲結構簡介
在單相小功率光伏并網系統中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。
2024-06-08
單相光伏 并網系統 拓撲結構
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創新音頻解決方案：類比半導體的國產中大功率功放技術
上海類比半導體技術有限公司（以下簡稱“類比半導體”或“類比”）作為國內領先的模擬及數模混合芯片設計商，正通過其創新的中大功率模擬/數字功放技術，重塑消費電子市場中高端音頻產品的技術標準。隨著國產半導體產業的快速崛起，類比半導體基于其17年功放研發經驗的團隊，另辟賽道，專注中大功率模擬...
2024-06-08
音頻 類比半導體 大功率功放
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運用雙MOSFET避免SEU的影響
很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發，而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。
2024-06-08
雙MOSFET SEU
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“固本強基”成效顯著，元器件、設備企業積極報名第104屆中國電子展
元器件和設備制造是電子信息產業的底座，底座牢不牢固，決定著整個產業能否真正行穩致遠。在過去的2023年當中，雖然依舊面臨著多重風險與挑戰，但我國電子信息行業產業鏈、供應鏈韌性顯著增強，進一步提升了整個行業的安全水平，也為整個國民經濟積極發揮了“壓艙石”“倍增器”“催化劑”的重要作用。
2024-06-07
元器件 設備 中國電子展
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跨電感電壓調節器的多相設計、決策和權衡
最近推出的跨電感電壓調節器(TLVR)在多相DC-DC應用中頗受歡迎，這些應用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負載供電。這一趨勢主要基于該技術出色的瞬態性能。TLVR還支持靈活的設計和布局，但有幾個缺點。本文闡述了TLVR設計選擇如何影響性能參數，并討論了相關權衡。
2024-06-06
跨電感 電壓調節器
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SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
本文將介紹根據在上一篇文章中測得的開關波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。
2024-06-06
SiC MOSFET 線性近似分割 波形
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低抖動差分時鐘：賦能AI時代光網絡精準同步
差分晶振是一種有源晶體振蕩器，通過將晶體振蕩器中的振蕩信號分成兩個相位相反的輸出信號，并通過差分放大電路進行放大和處理，產生穩定的差分輸出信號。差分晶振具有較好的抗干擾能力，能提供更穩定、更精確的時鐘信號，廣泛應用于通信網絡、數據中心、汽車電子、工業自動化、測試測量、醫療設備...
2024-06-06
差分時鐘 AI 光網絡
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電源軌難管理？試試這些新型的負載開關 IC！
本文將討論負載開關的作用，其基本功能、附加功能以及高級特性，正是這些功能使得它們不僅僅相對簡單，而且可對電源軌進行電子開/關控制。文章將使用 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) 的 TCK12xBG 系列中的三個新型負載開關 IC 來描述這些要點，并展示如何應用它們來滿...
2024-06-06
電源軌 負載開關 IC
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