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微特電機 變生產大國為技術強國
近幾年，我國微特電機行業有了長足的發展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環渤海三大地區已經形成我國微特電機的重要生產基地和出口基地。我國已經成為世界微特電機的生產大國。
2008-09-18
微特電機
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優化變換器的FET開關以改善能量效率
現在越來越多的設計師在關注DC/DC功率系統的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優化工藝的發展。首先，為了改善產品的開關特性（開關速度），他們實施了先進的柵極結構設計，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關和傳導損耗 系統級效率 開關特性 單元密度
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電子變壓器發展方向 微型化發展
電子變壓器行業為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業協會統計的數據顯示，民營企業已占電子變壓器行業的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩定狀態，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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LY530AL：ST超小型GPS應用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數字角速率絕對值輸出，意法半導體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設計靈活性，簡化集成難度，并節省外部元器件。全程量可測角速率高達每秒+/-300度，在直觀人機界面或增強型汽車導航GPS等應用中，意法半導體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
LY530AL MEMS陀螺儀
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發布了一則令全球光伏行業為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協鑫硅業(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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Si500系列：芯科全硅振蕩器 欲全面取代石英振蕩器
9月10日消息，高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司, Nasdaq: SLAB)發表具有業界最高穩定性的全CMOS振蕩器，以此進入消費性定時市場，新產品不僅交貨時間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。
2008-09-11
Si500 硅振蕩器
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