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    SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

    發布時間:2008-05-28

    產品特性:Vishay 新型SC-70 小型封裝Siliconix 功率 MOSFET

    • 電壓介于 8 V 至 30 V 之間
    • 4.5 V 時導通電阻值低至 0.011 ?
    • PowerPAK SC-70小型封裝
    • 符合 RoHS 規范

    應用范圍:

    • 手機、PDA、數碼相機
    • MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式HDD
    • 微型電機驅動等便攜設備

    Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

    新產品包括用于不同應用的各種配置及額定電壓,除了 n 通道及 p 通道的互補對外,還包括 n 通道及 p 通道的單路、單路帶肖特基二極管的及雙路的器件。器件的電壓介于 8 V 至 30 V 之間,在 4.5 V 時導通電阻值低至 0.011 ?。

    隨著便攜設備的體積越來越小,以及它們功能的不斷增加,其可用電路板空間會極大減少。設計人員需要設計體積更小的解決方案,同時維持較低的功耗,從而盡可能延長電池在充電間隔期間的使用時間。

    為了滿足此需求,PowerPAK SC-70 將 SC-70 封裝的超小尺寸與較大 TSOP-6 所對應的導通電阻相結合。上述解決方案可在實現極低的功耗,而封裝尺寸是 TSOP-6 的一半且厚度比 TSOP-6 薄 27%。除有助于節能外,PowerPAK SC-70 還是 100% 無鉛、無鹵素且符合 RoHS 規范的封裝,可滿足國際法規關于消除有害物質的要求。

    Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET 的典型應用將包括為手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式 HDD 及微型電機驅動等便攜設備負載開關及電池充電。

    目前推出的器件包括SiA413DJ,它是業內首款采用此封裝尺寸的 12V 單路 p 通道器件。SiA913DJ 及 SiA912DJ分別是首款 12V 雙路 p 及 n 通道 MOSFET,而 SiA511DJ是首款 12V n 通道及 p 通道互補對。

    采用 SC-70 封裝尺寸的多款器件在導通電阻方面刷新紀錄。新型 SiA421DJ在 4.5 V 時額定電阻為 0.056 ?,在 30V 單路 p 通道類別中的導通電阻最低。SiA914DJ的導通電阻為 0.053 ?,是業內導通電阻最低的 20 V雙路 p 通道 MOSFET。新產品中的兩款為單板、低壓降(VF)肖特基二極管。SiA810DJ的額定電阻為 0.053 Ω,是導通電阻最低的 20 V 單路 n 通道帶肖特基二極管的器件,而 SiA811DJ的額定電阻為 0.094Ω,是導通電阻最低的 20 V 單路 p 通道帶肖特基二極管的器件。

    該SiA413DJ 和SIA411DJ的額定導通電阻低至1.5V VGS,可實現較低功耗,降低了對電平相移電路的需要,從而節省了電路板空間。之前推出的采用 PowerPAK SC-70 封裝的器件包括 SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ,額定導通電阻低至1.2V VGS。另外,額定電阻為 0.011 Ω 的 SiA414DJ和額定電阻為 0.023 Ω 的 SiA417DJ是采用此封裝類型的首款器件,其額定擊穿電壓為 8V。

    目前,15 款新型功率 MOSFET 的樣品和量產批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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