產(chǎn)品特性：
- 采用1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝
- 肖特基二極管在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓
- 將兩個元件整合到一個封裝中節(jié)省了空間
- 較低的正向電壓，降低了電平位移應(yīng)用中的壓降
- 具有0.960?～0.225?的低導(dǎo)通電阻范圍
- 1.5 V 時的低導(dǎo)通電阻額定值
- 具有ESD保護(hù)，并且無鉛，無鹵素，符合RoHS
應(yīng)用范圍：
- 手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)
- MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界最小的20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)行了完美結(jié)合。
當(dāng)便攜式電子設(shè)備變得越來越小時，元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積，Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封裝的器件小 36%，同時具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番將兩個元件整合到一個封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。
SiB800EDK 具有0.960?（1.5V VGS 時）～0.225?（4.5V VGS 時）的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5 V 時的低導(dǎo)通電阻額定值可使 MOSFET 與低電平時的信號一同使用。
該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備的 I2C 接口與升壓轉(zhuǎn)換器中的電平位移轉(zhuǎn)換。
SiB800EDK 具有 ESD 保護(hù)，并且 100% 無鉛（Pb），無鹵素，以及符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。目前，新型 SiB800EDK 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
