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    ZXMS6004FF:Diodes自保護式MOSFET

    發布時間:2008-12-31

    產品特性:ZXMS6004FF:Diodes自保護式MOSFET

    • 采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝
    • 提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度
    • 集成了ESD、過壓、過流及過溫保護
    • 導通電阻僅為500m?
    • 邏輯電平輸入為3.3V或5V

    應用范圍:

    • 便攜應用
    • 消費電子應用

    Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列,推出體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。

    雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對極小值。

    ZXMS6004FF將靜電放電(ESD)、過壓、過流及過溫保護集成于一個高散熱效率封裝,為元件本身及負載提供了完善的保護,有助于減少元件數、印刷電路板尺寸及系統總成本,滿足各種汽車及工業應用需要。該器件的超小外形也使空間有限的應用能夠首次集成自保護式的MOSFET。

    該器件的連續額定電流為1A,且符合AECQ101標準,能耐受60V的負載突降瞬變。ZXMS6004FF的邏輯電平輸入為3.3V或5V,可通過微控制器輸出直接驅動。
     

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