20V P通道器件- 采用 SO-8 封裝
- 低至1.9 m?的超低導(dǎo)通電阻
- 通過(guò)Rg 和 UIS 認(rèn)證，且不含鹵素
- 筆記本電腦
- 工業(yè)/通用系統(tǒng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 m?（在 10 V 時(shí)）、2.5 m?（在 4.5 V 時(shí)）和 3.9 m?（在 2.5 V 時(shí)）的超低導(dǎo)通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執(zhí)行切換任務(wù)。
Si7137DP 將用作適配器開(kāi)關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開(kāi)關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。Si7137DP 的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長(zhǎng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。
對(duì)于使用 20V 器件足夠的應(yīng)用，Si7137DP 令設(shè)計(jì)人員無(wú)須依賴 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導(dǎo)通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類(lèi) 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值，在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)導(dǎo)通電阻為 14 mΩ，且沒(méi)有 10V 柵極至源極電壓的特點(diǎn)。在同類(lèi) 30V 器件中，采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導(dǎo)通電阻在 10V 及 4.5V 時(shí)分別為 3.5 m? 和 6.3 m?，約為 Si7137DP 的一倍。
Vishay 將在 2009 年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發(fā)布的該器件 100% 通過(guò)Rg 和 UIS 認(rèn)證，且不含鹵素。
目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
