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    IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET

    發(fā)布時(shí)間:2009-05-07

    產(chǎn)品特點(diǎn):

    • 該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻和高封裝電流額定值
    • 在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on)
    • 電壓范圍為40V至100V
    • 已獲得工業(yè)級(jí)和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證

    應(yīng)用領(lǐng)域:

    • 高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

    新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù),可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on) ,顯著改善了熱效率。此外,這些器件具有更高的電流額定值,多余瞬變可以帶來(lái)更多防護(hù)頻帶,并可減少由多個(gè)MOSFET共享高電流的并行拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的元件數(shù)目。與典型封裝額定值相比,由于封裝電流額定值高達(dá)195A,TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過(guò)了60%;與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝相比,7引腳D2PAK進(jìn)一步降低了多達(dá)16%的RDS(on),功能更為完善。

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新推出的邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道MOSFET具有基準(zhǔn)RDS(on) ,能夠由微控制器或弱電池驅(qū)動(dòng),提升其在輕負(fù)載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉(zhuǎn)換和DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。”

    新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業(yè)級(jí)和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證,更具備所有標(biāo)準(zhǔn)功率封裝,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

    產(chǎn)品的基本規(guī)格如下:

    元件編號(hào)
    封裝
    Bvdss (V) 
    4.5Vgs
    最大RDS(on) (mΩ)
    25°C 下的Id (A) 
    4.5Vgs下的
    典型Qg (nC)
    IRLS3034-7PPBF
    D2PAK-7
    40
    1.7
    *240
    108
    IRLB3034PBF
    TO-220
    40
    2.0
    *195
    108
    IRLS3034PBF
    D2PAK
    40
    2.0
    *195
    108
    IRLS3036-7PPBF
    D2PAK-7
    60
    2.2
    *240
    91
    IRLB3036PBF
    TO-220
    60
    2.8
    *195
    91
    IRLS3036PBF
    D2PAK
    60
    2.8
    *195
    91
    IRLS4030-7PPBF
    D2PAK-7
    100
    4.1
    190
    87
    IRLB4030PBF
    TO-220
    100
    4.5
    180
    87
    IRLS4030PBF
    D2PAK
    100
    4.5
    180
    87

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