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    FDMC8200:飛兆半導體推出雙MOSFET器件

    發布時間:2009-07-10

    產品特性:

    • 專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術
    • 出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
    • FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm,低側則為9.5mOhm

    市場數據:

    • 筆記本電腦、上網本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記本電腦、上網本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經優化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET,二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術,提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能最大限度地減少傳導和開關損耗,帶來更高效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm,低側則為9.5mOhm,可提供9A以上電流供主流計算應用,而經優化的引腳輸出和占位面積,為布局和路由帶來便利,并簡化設計。
     
     FDMC8200通過先進的封裝技術和專有PowerTrench 7工藝,節省空間并提升熱性能,解決DC-DC應用的主要設計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術,其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

     這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進MOSFET技術產品系列的一部分,全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現代化的封裝技術,實現高效的功率管理和低熱阻的特點。同系列其它產品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同樣能夠顯著減少電路板空間,并提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。

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