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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存，它們在系統(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點和不同點，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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繼續(xù)來找茬——DDR2設(shè)計案例分享（連載2）
大家如果心細的話應(yīng)該會留意到本期文章的題目，串擾案例分解，已經(jīng)可以揭示上期問題的答案了，主要是串擾在作怪，原來如此，是不是恍然大悟？
2015-08-07
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繼續(xù)來找茬——DDR2設(shè)計案例分享（連載1）
答應(yīng)過的案例分享還是要繼續(xù)的，哪怕沒有其他的人愿意一起出來分享，小編也只能硬著頭皮往前走了。后續(xù)的案例我考慮換個玩法，就是先把出現(xiàn)的問題拋出來，讓大家自己去發(fā)現(xiàn)問題，并且提供可行的解決方案，答案我們就在后一篇的文章里面公布出來，這樣應(yīng)該更好玩點吧。好了，閑話少說，直接上菜！
2015-08-06
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PCB專家專場——DDX系列之derating
時序一直都是相對復(fù)雜的，而DDR2和DDR3時序設(shè)計時還有個叫derating的東西，暈！什么是derating呢？簡而言之就是對建立保持時間基準值的修正。
2015-07-21
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大家來找茬——任性的DDR2設(shè)計（下）
在上一篇的文章中我們有截取各組信號的大致走線結(jié)構(gòu)，從這個走線上我們到底可以看出什么問題會導(dǎo)致該DDR2系統(tǒng)運行異常呢？下面請看我們一一為您分解。
2015-07-08
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大家來找茬——任性的DDR2設(shè)計（上）
前面有講到設(shè)計人員因為沒有留意到DDR3主控沒有讀寫平衡功能，就按照常規(guī)的布線要求來走線，導(dǎo)致數(shù)據(jù)和時鐘信號長度差異較大，最終使得DDR3系統(tǒng)運行不到額定頻率。看來沒有讀寫平衡的DDR3，直接按照DDR2的設(shè)計規(guī)則來做還是比較靠譜的，那么DDR2的設(shè)計到底有哪些規(guī)則呢？我想大家肯定會比較感興趣吧。
2015-07-03
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e絡(luò)盟推出全新樹莓派2代B型板，可運行更強大復(fù)雜的開發(fā)項目
e絡(luò)盟近日宣布推出全新第二代樹莓派。采用了900MHz的四核ARM Cortex-A7處理器（性能是前代的6倍以上），1GB的LPDDR2 SDRAM（內(nèi)存提升兩倍），并完美兼容第一代樹莓派。因為采用了ARMv7處理器，所以能夠運行所有ARM GNU/Linux分支版本，包括Snappy Ubuntu Core和微軟的Windows 10系統(tǒng)。
2015-02-03
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電子技術(shù)分享：對于DDR2內(nèi)存的布線設(shè)計經(jīng)驗
一個從事主板工作兩年的大俠分享了他對內(nèi)存布線設(shè)計的個人經(jīng)驗，下文是針對DDR2 667內(nèi)存的布線設(shè)計的簡述，謹此獻給需要的同學(xué)們以供參考，希望能幫助到大家。 做主板已經(jīng)兩年多了，做過龍芯2F內(nèi)存條和板載內(nèi)存顆粒的設(shè)計，做過凌動N450內(nèi)存條和板載內(nèi)存顆粒的設(shè)計。想寫點東西總結(jié)一下，發(fā)現(xiàn)網(wǎng)上已經(jīng)有很多這類的文章了，現(xiàn)在再寫一點就當作是參考補充吧。以下內(nèi)容主要是針對DDR2 667內(nèi)存的設(shè)計。
2014-03-31
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【盤點】存儲模塊連接器，你用對了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請看本文詳細解讀？
2013-01-09
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ddr3和ddr2的區(qū)別
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。
2012-07-04
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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行，通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。
2010-01-29
- 差分振蕩器設(shè)計的進階之路：性能瓶頸突破秘籍
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