IRF6708S2/IRF6728M的產(chǎn)品特性:

• 可減少元件數(shù)量達(dá)30%
• 低電荷和低導(dǎo)通電阻
• 低寄生電阻電感
• 卓越的散熱性能

IRF6708S2/IRF6728M的應(yīng)用范圍：

• 19V輸入同步降壓應(yīng)用

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達(dá)30%，大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，最大限度減少了傳導(dǎo)及開關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供高效率、且具有成本效益的解決方案，而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現(xiàn)了一流的整體價值。”

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導(dǎo)通電阻和低電荷，也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，現(xiàn)已接受批量訂單。