橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）最新產(chǎn)品包括業(yè)內(nèi)首個可承受950V峰值電壓的超結晶體管(MOSFET)、同類產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管和全球上唯一采用節(jié)省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結技術可提高MOSFET管的工作電壓，降低導通電阻-芯片尺寸比，使電源產(chǎn)品在縮減封裝總體尺寸的同時提高系統(tǒng)可靠性和能效。

圖題：ST發(fā)布可承受950V峰值電壓的MOSFET 

意法半導體是超結MOSFET（super-junction MOSFETs）的主要供應商，現(xiàn)在開始提供目前市場上額定電壓最高的解決方案，同時還是目前僅有的兩家900V超結晶體管供應商之一。此外，該系列產(chǎn)品不久后將增加800V。

超結技術讓世界更環(huán)保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時，意法半導體還公布了首個成功應用超高壓MOSFET的客戶設計的細節(jié)。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI在其最新的LED驅(qū)動器設計中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源，為設計先進且功能豐富的LED照明燈供電，使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標桿。意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“ 意法半導體最新的SuperMESH 5技術讓TCI創(chuàng)立了市場上最高的能效和安全系數(shù)，為客戶提供極具吸引力的價值主張。”

意法半導體新的超結MOSFET的其它主要應用包括平板電視、PC電源、LED照明驅(qū)動器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮(zhèn)流器。MOSFET將讓設計人員能夠達到美國能源之星（Energy Star）和歐盟能源相關產(chǎn)品(Energy-related Products，ErP)指令等生態(tài)設計標準中日益嚴格的功率上限和能源下限要求。

例如，最新的能源之星電視機能效規(guī)范（5.3版）提出了更嚴格的生態(tài)設計規(guī)定，要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個生態(tài)設計標準日益嚴格的例子是，ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間制造的各類HID燈的能效下限標準。

意法半導體的新超結MOSFET耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對于HID燈鎮(zhèn)流器和其它的以電網(wǎng)或更高電壓為電源的電力應用系統(tǒng)，例如太陽能微逆變器和電動汽車充電樁，耐高壓是一個重要優(yōu)點。為最大限度減少電動汽車的充電時間和運行成本，充電樁需要極高的功率轉(zhuǎn)換效率。在微型發(fā)電機逆變器內(nèi)，高能效的MOSFET讓設計人員能夠使用更高的開關頻率，輸出高質(zhì)量的交流電能，同時降低能耗和解決方案尺寸。
 
SuperMESH 5 MOSFET的主要特性：

新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH 5第五代超結技術的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表面貼裝封裝，占位面積為64mm2, 比工業(yè)標準的D2PAK封裝小56%。此外，這款產(chǎn)品的安裝高度為1mm，比工業(yè)標準的D2PAK封裝低77%，適用于超薄型應用設計。

900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit，F(xiàn)OM)反映了該產(chǎn)品接通電源以及導通和關斷時的總體能效，比市場上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設計人員即可大幅提高能效。

新的SuperMESH 5產(chǎn)品已開始提供樣片并接受生產(chǎn)訂單。