由于市場對于提升信息技術(shù)和通信設(shè)備性能的需求，因此如今的系統(tǒng)設(shè)計人員面臨著必需設(shè)計EMI兼容產(chǎn)品的巨大挑戰(zhàn)。在銷售之前，所有通常被規(guī)定為具有一個高于9kHz之已調(diào)時鐘信號的信息技術(shù)設(shè)備(ITE)都必須滿足相關(guān)的政府標(biāo)準(zhǔn)，例如美國的FCC Part 15 Subpart B和歐盟的EN55022，這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)和商業(yè)環(huán)境(Class A)以及家庭環(huán)境(Class B)的最大可容許輻射發(fā)射。鑒于此類嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)、工程人力資源限制和產(chǎn)品快速上市要求，使得通過EN55022標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證之電源模塊的普及率有所提高。然而重要的是必須知曉電源模塊在認(rèn)證時所處的電氣操作條件，以避免在之后的設(shè)計過程中感到詫異。對開關(guān)模式穩(wěn)壓器中的EMI干擾源和場強(qiáng)因子有所了解將有助于設(shè)計工程師選擇最佳的組件，以減輕特別是那些所需電流水平較高之尖端設(shè)備中的電磁輻射。


由于其特殊的性質(zhì)，開關(guān)電源會產(chǎn)生輻射到周圍大氣中的電磁波。脈沖電壓和電流將因開關(guān)動作而出現(xiàn)，并直接影響輻射電磁波的強(qiáng)度。此外，轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的寄生器件也會產(chǎn)生電磁輻射。圖2給出了一款典型的降壓型轉(zhuǎn)換器，其包括功率MOSFET的寄生電感器和寄生電容器。
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EMI輻射源

在每個開關(guān)周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當(dāng)能量釋放時將在開關(guān)節(jié)點(diǎn)(VSW)上產(chǎn)生一個很大的電壓尖峰，其最大可達(dá)輸入電壓的兩倍，如圖3所示。當(dāng)MOSFET的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關(guān)動作還使輸入電流以及流過頂端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的電流產(chǎn)生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和PCB板印制線(其充當(dāng)了發(fā)射天線)上產(chǎn)生電波，從而產(chǎn)生輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。


當(dāng)輸人電壓和輸出電流增加時，每個周期中功率電感器改變極性時開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內(nèi)部產(chǎn)生的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測試器件所處的電氣操作條件。一般來說，輻射噪聲將隨著輸人電壓和輸出功率(特別是輸出電流)的提高而增加。由于作為低噪聲替代方案的線性穩(wěn)壓器效率過低，而且在高電壓和高功率級別下耗散過多的熱量，因此設(shè)計工程師不得不克服因采用最先進(jìn)的開關(guān)電源解決方案而引發(fā)的難題，其中的EMI抑制變得頗為棘手。

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EMI抑制

用于降低來自開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計的輻射EMI之替代方法而臨著其他的難題。一種傳統(tǒng)方法是在電源解決方案周圍增設(shè)EMI屏蔽，其將在金屬外殼內(nèi)包含一個EMI場。然而，EMI屏蔽會增加設(shè)計復(fù)雜性、尺寸和成本。在開關(guān)節(jié)點(diǎn)上(VSW)布設(shè)一個RC減振器電路可幫助減小電壓尖峰和后續(xù)的振鈴。可是增設(shè)一個減振器電路將降低工作效率，從而增加功率耗散，導(dǎo)致環(huán)境溫度和PCB溫度升高。最后一種對策是采取優(yōu)良的PCB布局方案，包括使用局部低ESR陶瓷去耦電容器，并為所有的大電流通路采用簡短的PCB走線間隔，以最大限度地抑制圖2中所示的寄生效應(yīng)，不過代價是增加了工程設(shè)計時間并延緩了產(chǎn)品的上市進(jìn)程。總的說來，為了同時滿足尺寸、效率、熱耗散和EMI規(guī)格要求，工程師必需具備豐富的電源設(shè)計經(jīng)驗(yàn)并做出艱難的權(quán)衡取舍，特別是在高輸入電壓、高輸出功率應(yīng)用中(原因如上所述)。為了評估折衷策略和設(shè)計一款符合EMI標(biāo)準(zhǔn)并滿足所有系統(tǒng)要求的電源轉(zhuǎn)換器，電路設(shè)計人員常常需要花費(fèi)大雖的時間和精力。保證符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的解決方案

為了對一款簡單和符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的高輸出功率電源設(shè)計提供保證，凌力爾特公司向一家獨(dú)立的認(rèn)證測試實(shí)驗(yàn)室(TUV Rheinland)提交了LTM4613 8A降壓型μModule 穩(wěn)壓器演示板(DC1743)，該實(shí)驗(yàn)室的10米EN55022試驗(yàn)箱得到了美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(U.S. National Institute of Standards and Technology NIST)的正式認(rèn)可。在一個24V輸人提供9 6W輸出功率的情況下，發(fā)現(xiàn)LTM4613演示板符合EN55022 Class B限值。只需采用輸入電容、輸出電容和少量的其他小型組件，即可輕松實(shí)現(xiàn)一款符合EN55022標(biāo)準(zhǔn)的“無憂型”解決方案，特別是在采用可免費(fèi)下載的DC 1743光繪(Gerber)文件的情況下。

在市面上所有經(jīng)驗(yàn)證符合EN55022B規(guī)范的電源模塊產(chǎn)品中，LTM4613可提供最高的輸出功率和效率。憑借一個謹(jǐn)慎設(shè)計的集成型濾波器、細(xì)致的內(nèi)部布局、屏蔽電感器、內(nèi)部減振器電路和功率晶體管驅(qū)動器，LTM4613在尺寸、輸出功率、效率和EMI輻射之間實(shí)現(xiàn)了完美的平衡。LTM4613與經(jīng)EN55022B標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的μModule穩(wěn)壓器系列中其他許多成員(其具有各種不同的輸出功率級別)一起免除了增設(shè)磁屏蔽和外部減振器的需要，從而削減了解決方案總體尺寸、成本以及某些麻煩的設(shè)計任務(wù)。

總結(jié)

針對EMI相符性來設(shè)計信息技術(shù)設(shè)備(ITE)產(chǎn)品是一項(xiàng)必然要求，它需要超乎尋常的技巧和時間。雖然很麻煩，但是對于保證相鄰電子設(shè)備或系統(tǒng)自身內(nèi)部其他附屬組件的正常功能運(yùn)轉(zhuǎn)而言，此類限制是至關(guān)緊要的。為滿足這一需求，業(yè)界推出了諸如LTM4613等經(jīng)過EN55022 Class B標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的電源模塊。然而，由于EMI場強(qiáng)在很大程度上取決于諸多的因素 (例如:輸人電壓、輸出電流、輸出電壓和PCB布局)，因此在比較產(chǎn)品時應(yīng)確定:EN55022認(rèn)證是在相似的電氣條件下進(jìn)行的(由業(yè)界認(rèn)可的EMI測試實(shí)驗(yàn)室在與您的設(shè)計相近的輸入電壓和輸出功率級別下實(shí)施)。凌力爾特公布了針對最常見工作條件的EMI測試結(jié)果和演示板光繪文件，從而提供了一款由授權(quán)獨(dú)立實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證的良好電源設(shè)計，這給客戶吃了顆 “定心丸”。

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