逆變電路及其控制

正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)在逆變器的控制中得到了廣泛應(yīng)用，正弦脈寬調(diào)制方式很多，在此不一一描述。本電路采用的是倍頻式的調(diào)制方式，下面簡(jiǎn)單加以介紹。

全橋逆變電路的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。在倍頻式調(diào)制方式中，四個(gè)開(kāi)關(guān)管的門(mén)極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4的產(chǎn)生方法如圖2所示。四個(gè)開(kāi)關(guān)管門(mén)極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4與兩橋臂中點(diǎn)A、B間電壓VAB的波形也如圖2所示。


由圖2可以看出，在倍頻式調(diào)制方式中，A、B間電壓頻率是開(kāi)關(guān)管工作頻率的兩倍，這種調(diào)制方式的好處在于在不增加開(kāi)關(guān)管工作頻率的情況下，可以減小逆變器 輸出濾波器的尺寸。它的缺點(diǎn)在于四個(gè)門(mén)極脈沖信號(hào)各不相同，提高了控制電路和脈沖發(fā)生電路的復(fù)雜性。本文提及的逆變電路開(kāi)關(guān)管門(mén)極SPWM信號(hào)是由數(shù)字信 號(hào)處理器(DSP)產(chǎn)生的，對(duì)于數(shù)字控制電路而言，倍頻式調(diào)制方式所帶來(lái)的電路復(fù)雜性可以忽略。
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該電路采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)管。由于IGBT寄生電容和線路寄生電感的存在，同一橋臂的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)工作時(shí)相互會(huì)產(chǎn)生干擾，這種干擾主要體現(xiàn)在開(kāi)關(guān)管門(mén)極上。以上管開(kāi)通對(duì)下管門(mén)極產(chǎn)生的干擾為例，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路及其等效電路如圖3所示。

實(shí)際電路中，虛線框部分是IR2110的輸出推挽電路，RS、RP分別是T2門(mén)極串、并聯(lián)電阻，Zg是門(mén)極限幅穩(wěn)壓管。當(dāng)上管T1開(kāi)通時(shí)，下管T2門(mén)極信號(hào)必然為低電平，即M2導(dǎo)通，M2兩端可等效為一個(gè)電阻RM，這個(gè)電阻與RS、RP一起等效為電阻Rg。

Rg=(RM+RS)//RP≈RS(RM < S < P)

Zg兩端相當(dāng)于開(kāi)路。電容Cge和Cgc都是T2的寄生電容。電感L是功率電路線路的等效寄生電感，Lg是驅(qū)動(dòng)電路的線路電感。

在T1開(kāi)通前，由于互補(bǔ)門(mén)極信號(hào)死區(qū)的存在，T1、T2均處于關(guān)斷狀態(tài)，橋臂中點(diǎn)電壓是高壓母線電壓VBUS的一半。當(dāng)T1開(kāi)通時(shí)，中點(diǎn)電壓立刻上升，很 高的dv/dt使L和T2的寄生電容發(fā)生振蕩，由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足夠低，在T2門(mén)極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓尖刺。這個(gè)電壓尖刺幅值隨母線 電壓VBUS和負(fù)載電流的增大而增大，可能達(dá)到足以導(dǎo)致T2瞬間誤導(dǎo)通的幅值，這時(shí)橋臂就會(huì)形成直通，造成電路燒毀。同樣地，當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，T1的門(mén)極也 會(huì)有電壓尖刺產(chǎn)生。

通過(guò)減小RS和改善電路布線可以使這個(gè)電壓尖刺有所降低，但均不能達(dá)到可靠防止橋臂直通的要求。

小編的話：怎么樣，這種小技術(shù)是不是很實(shí)用，如果我們能夠熟練的運(yùn)用這一技術(shù)，相信很快一塊牛的電源就會(huì)出現(xiàn)啦！

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