【導讀】很多電子工程師在使用MOS管時都忽略了米勒效應。但是米勒效應引發的開通損耗時間增長的明顯現象，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。本文就來介紹米勒效應在MOS柵極驅動過程中造成的危害都有哪些。
米勒效應這個名詞對于很多電子工程師來說，恐怕都不會陌生。作為一種會導致開通損耗時間增長的效應現象，它是由米勒電容所引發的，將會對MOS管的正常工作運行造成不利影響。
在MOS管的日常工作過程中，其柵極驅動過程可以理解為驅動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程。當Cgs達到門檻電壓后MOSFET就會進入開通狀態。當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區。但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，此時Vds徹底降下來，開通結束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。
圖為出現米勒效應后的充放電曲線
這也就可以理解為什么米勒效應在MOS驅動中讓無數工程師們頭痛不已了。它是由MOS管的米勒電容引發的，在MOS管開通過程中，當GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。
米勒會嚴重增加MOS的開通損耗，并造成MOS管不能很快得進入開關狀態，所以此時也就會出現所謂的圖騰驅動。因此，在選擇MOS時Cgd越小開通損耗就越小，然而該效應卻不可能完全消失，只有盡可能的進行消除和削弱。
以上就是本文對MOS柵極驅動過程中米勒效應的危害所進行的簡要分析，希望能夠幫助工程師更加充分的進行不良效應的規避和消除。
相關閱讀：
怎么避免上拉電阻成為MOS管過熱的殺手？
自制基于MOS管的免繞制逆變電源
GaN功率器件價格向MOSFET看齊，在哪些領域能夠替代？
