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    開關(guān)電源設(shè)計中的頻率選擇(上)

    發(fā)布時間:2022-02-07 來源:芯源系統(tǒng) 責任編輯:wenwei

    【導讀】頻率是開關(guān)電源的一個基本屬性,它代表了直流電壓開啟和關(guān)斷的速率。了解開關(guān)頻率就可以了解實際應用中電源線路的工作原理。本文是開關(guān)頻率設(shè)計相關(guān)系列文章中的上篇。

     

    本篇將討論如何計算開關(guān)頻率的關(guān)鍵變量,以及如何實現(xiàn)更高的頻率。下篇將介紹如何在實際應用中針對一定的頻率范圍設(shè)計開關(guān)電源。

     

    開關(guān)頻率相關(guān)原理

     

    開關(guān)電源利用開關(guān)動作將直流電轉(zhuǎn)換為特定頻率的脈沖電流能量。電能按照預定的要求釋放,電感能量和電容能量存儲在電路組件中。與人類的心率可以代表健康狀況類似,規(guī)律且自我調(diào)節(jié)的開關(guān)頻率也代表了開關(guān)電源的質(zhì)量(參見圖 1)。所以,開關(guān)頻率是開關(guān)電源的關(guān)鍵指標之一。

     

    1.png

    圖 1:開關(guān)頻率是開關(guān)電源的質(zhì)量指標之一

     

    規(guī)律的開關(guān)動作是開關(guān)電源工作的主要機制,頻率在電路計算中也起到?jīng)Q定性的作用。例如一個降壓電路,其頻率 (fS) 決定了電感電流紋波 (ΔIL) 和輸出電壓紋波 (VRIPPLE)。 fS 和紋波幅度成近似反比關(guān)系,這意味著頻率越高,紋波越小。ΔIl 可以用公式 (1) 來計算:

     

    1643371878491614.png


    VRIPPLE可以用公式 (2) 來計算:


    1643371864131987.png

     

    從公式 (2) 可以看出,頻率fs、電感L的乘積,以及頻率fs和輸出電容C的乘積,作為因子影響計算結(jié)果。

     

    存儲的電感和電容能量可以使用公式 (3) 來計算:

     

    1643371842221218.png


    在其他條件相同的情況下,提高頻率可以降低對電感量和電容值,同時也會對器件體積進行優(yōu)化,其實質(zhì)是頻率提高,單次需要儲存的能量更少,這樣就降低了對儲能元件的要求;另外,頻率越高,輸出紋波越小,還可以提高電源質(zhì)量。

     

    提高頻率帶來的其他問題

     

    增加fS也會增加損耗,并直接影響電源的三個核心指標:開關(guān)電源損耗、效率和散熱。例如一個降壓電路,其大部分損耗由導通損耗、開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗組成。而開關(guān)頻率直接影響開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗。

     

    驅(qū)動損耗是 MOSFET 寄生電容(CGS 和CGD)在驅(qū)動電壓下的驅(qū)動電流損耗(見圖 2)。 這種損耗主要來自MOSFET管的寄生充放電(QG)。

     

    5.png

    圖2: 驅(qū)動電流損耗


    驅(qū)動損耗可以用公式(4)來估算:

     

    1643371804625111.png


    對于開關(guān)損耗,我們以MOSFET管的導通過程為例。每當MOSFET 導通,電壓和電流都會發(fā)生變化。 圖 3 顯示出,開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比,而 VDS 和IDS 之間的重疊區(qū)域即表示開關(guān)損耗。

     

    7.png

    圖 3:電壓和電流變化之間的開關(guān)損耗


    要降低開關(guān)損耗,就需要提高開關(guān)導通和關(guān)斷的邊沿速度,也就是加快 IDS 和VDS變化的速度,從而直接減小重疊區(qū)域面積。利用公式 (5) 可以估算出開關(guān)損耗:

     

    1643371781522866.png


    不過,這種方法將加劇高頻方波,對高頻EMI造成不利影響。開關(guān)準方波信號的傅立葉變換表明, fS 以及開關(guān)的上升沿和下降沿速度對信號增益都有顯著的影響。隨著 fS 的增加,系統(tǒng)的諧波失真也會加劇,從而導致 EMI性能下降(參見圖 4)。為了提高在更高頻率下的效率,必須嚴格把關(guān) EMI 的設(shè)計。

     

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    圖 4:增加頻率將導致 EMI 降級


    在電路EMI設(shè)計中,固定頻率開關(guān)電源具有單頻點,因此能量集中在頻點和倍頻點附近,這導致了較高的EMI噪聲。要優(yōu)化 EMI,可以在一定范圍內(nèi)利用頻率抖動來分散噪聲信號的能量,從而降低噪聲峰值(見圖 5)。

     

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    圖 5:利用頻率抖動優(yōu)化 EMI


    隨著 EMI 解決方案的演進,高頻設(shè)計變得愈加復雜。除了頻率抖動設(shè)計,為電源設(shè)計輕載開關(guān)頻率也需要認真的考量。例如,固定頻率模式和頻率可調(diào)模式的差別會體現(xiàn)在電路的動態(tài)特性、輕載效率、靜態(tài)功耗等各個方面。根據(jù)實際應用場景,這些差異應在電源設(shè)計過程之初就確定下來。

     

    結(jié)論

     

    本文介紹了受開關(guān)頻率影響的核心電路指標計算方法,還探究了由較高頻率導致的不同類型損耗。該系列的另一篇文章將討論三種不同頻率范圍的實際應用場景。通過了解開關(guān)電源頻率設(shè)計的基本原理,電源工程師能夠?qū)崿F(xiàn)電能質(zhì)量和儲能組件效率的提升。


    來源:芯源系統(tǒng)



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