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    瞄準大功率空中交通管制的RF功率晶體管

    發布時間:2012-11-29 責任編輯:Lynnjiao

    【導讀】Microsemi提供S波段 RF功率晶體管,是500W GaN on SiC晶體管產品,適用于空中交通管制雷達航空應用,滿足65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求。

    致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄準大功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用,ASR用于監視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

    在2.7 至2.9 GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能,通過單一器件在這個頻段上提供最大功率,主要特性包括:

    標準脈沖間歇格式:    100µs, 10 % DF 
    出色的輸出功率:   500W
    高功率增益:    >11.5 dB min
    漏極偏壓−Vdd:   +65V
    低熱阻:    0.2℃/W

    使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的系統優勢包括:

    具有簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要額外合成的較低功率器件
    最高峰值功率和功率增益,可減少系統功率級數與末級合成
    單級對管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率,通過四路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
    65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求
    極其穩健的性能提升了系統良率,而且放大器尺寸比使用硅雙極結晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產品減小50%

    封裝和供貨:

    2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨,在密封的焊料密封封裝中采用100% 高溫金鍍金線材布線,實現長期軍用級可靠性。
     

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