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    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器

    發(fā)布時(shí)間:2020-07-08 來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】共發(fā)射極放大器是三種基本單級放大器拓?fù)渲弧JT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入,集電極端為輸出,而發(fā)射極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂“共射”即由此而來。
     
    目標(biāo)
     
    本活動的目的是研究BJT的共發(fā)射極配置。
     
    背景知識
     
    共發(fā)射極放大器是三種基本單級放大器拓?fù)渲弧JT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入,集電極端為輸出,而發(fā)射極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂“共射”即由此而來。
     
    材料
     
    ●   ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊
    ●   無焊面包板
    ●   五個(gè)電阻
    ●   一個(gè)50 kΩ可變電阻、電位計(jì)
    ●   一個(gè)小信號NPN晶體管(2N3904)
     
    指導(dǎo)
     
    圖1所示配置展現(xiàn)了用作共發(fā)射極放大器的NPN晶體管。選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲐?fù)載電阻RL ,用于產(chǎn)生合適的標(biāo)稱集電極電流IC,VCE電壓約為VP (5 V)的一半。通過可調(diào)電阻RPOT與RB來設(shè)置晶體管(IB)的標(biāo)稱偏置工作點(diǎn),進(jìn)而設(shè)置所需的IC。選擇適當(dāng)?shù)姆謮浩鱎1/R2,以便通過波形發(fā)生器W1提供足夠大的輸入激勵(lì)衰減。考慮到在晶體管VBE的基極上會出現(xiàn)非常小的信號,這樣做更容易查看發(fā)生器W1信號。衰減波形發(fā)生器W1信號通過4.7 uF電容交流耦合到晶體管基極,以免干擾直流偏置條件。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖1.共發(fā)射極放大器測試配置。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器輸出W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量Q1基極和集電極的波形。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖2.共發(fā)射極放大器測試配置面包板連接。
     
    程序步驟
     
    打開連接到BJT晶體管集電極(VP = 5 V)的電源。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號和輸出信號。
     
    圖3和圖4是使用LTspice®得到的仿真電路波形圖示例。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖3.共發(fā)射極放大器測試配置,VIN 和VCE
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖4.共發(fā)射極放大器測試配置,VIN 和VBE
     
    共發(fā)射極放大器的電壓增益A可以表示為負(fù)載電阻RL與小信號發(fā)射極電阻re的比值。晶體管的跨導(dǎo)gm是集電極電流Ic和所謂的熱電壓kT/q的函數(shù),在室溫下其近似值約為25 mV或26 mV。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
     
    小信號發(fā)射極電阻為1/gm且可視為與發(fā)射極串聯(lián)。現(xiàn)在,在基極上施加電壓信號,相同的電流(忽略基極電流)會流入re和集電極負(fù)載RL。因此,由RL與re的比值可得到增益A。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
     
    圖5所示為另一種共發(fā)射極放大器測試電路方案。除了兩個(gè)小優(yōu)勢之外,所有屬性基本相同。其中一個(gè)優(yōu)勢是基極電流偏置不再取決于指數(shù)基極電壓(VBE)。第二個(gè)優(yōu)勢是AWG1衰減后輸出的交流小信號與基極偏置電路無關(guān),并且無需交流耦合。當(dāng)把交流小信號接在運(yùn)算放大器的同相端子時(shí),由于負(fù)反饋的作用,它也會出現(xiàn)在晶體管的基極端(反相運(yùn)算放大器輸入)。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖5.替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖6.替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置面包板連接。
     
    提供負(fù)反饋 的自偏置配置
     
    目標(biāo)
     
    本節(jié)旨在研究添加負(fù)反饋對穩(wěn)定直流工作點(diǎn)的效果。晶體管電路最常用的一種偏置電路是發(fā)射極自偏置電路,它使用一個(gè)或多個(gè)偏置電阻來設(shè)置晶體管IB, IC, 和IE三個(gè)初始直流電流。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖7.替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置,VIN 和 VBE
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖8.替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置VBE縮放。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖9.自偏置配置。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器輸出W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量Q1基極和集電極的波形。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖10.自偏置配置面包板連接
     
    程序步驟
     
    打開連接到BJT晶體管集電極(VP = 5 V)的電源。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號和輸出信號。
     
    圖11和圖12是使用LTspice® 得到的仿真電路波形圖示例。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖11.自偏置配置,VIN 和VCE
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖12.自偏置配置,VIIN 和 VBE
     
    目標(biāo)
     
    共發(fā)射極放大器為放大器提供反相輸出,具有極高增益,而且各晶體管之間的差異很大。此外,由于與溫度和偏置電流密切相關(guān),增益有時(shí)無法預(yù)測。可以通過在放大器級配置一個(gè)小值反饋電阻來改善電路的性能。
     
    附加材料
     
    一個(gè)5 kΩ可變電阻、電位計(jì)
     
    指導(dǎo)
     
    如圖13所示,斷開Q1發(fā)射極的接地連接,插入RE(一個(gè)5 kΩ電位計(jì))。調(diào)整RE ,同時(shí)注意觀察晶體管集電極上的輸出信號。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖13.添加了發(fā)射極負(fù)反饋。
     
    添加發(fā)射極負(fù)反饋
     
    目標(biāo)
     
    本活動的目的是研究添加發(fā)射極負(fù)反饋的影響。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器輸出W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連在接示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量Q1基極和集電極的波形。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖14.添加了發(fā)射極負(fù)反饋的面包板連接。
     
    程序步驟
     
    打開連接到BJT晶體管集電極(VP = 5 V) 的電源。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號和輸出信號。
     
    圖15和圖16是使用LTspice® 得到的仿真電路波形圖示例。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖15.添加了發(fā)射極負(fù)反饋,VIN 和 VCE
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖16.添加了發(fā)射極負(fù)反饋,VIN 和 VBE
     
    提高發(fā)射極負(fù)反饋放大器的交流增益
     
    添加發(fā)射極負(fù)反饋電阻提高了靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定性,但降低了放大器增益。可通過在負(fù)反饋電阻RE上添加電容C2,在一定程度上恢復(fù)了交流信號的較高增益,如圖17所示。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖17.添加C2可提高交流增益。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器輸出W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其設(shè)連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量Q1基極和集電極的波形。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖18.添加C2之后的面包板連接,用于提高交流增益。
     
    程序步驟
     
    打開連接到BJT晶體管集電極(VP = 5 V) 的電源。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號和輸出信號。
     
    圖19和圖20是使用LTspice® 得到的仿真電路波形圖示例。
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖19.添加C2可提高交流增益VIN 和 VCE
     
    ADALM2000實(shí)驗(yàn):共發(fā)射極放大器
    圖20.添加C2可提高交流增益VIN 和 VBE
     
    問題
     
    對于共發(fā)射極放大器電路設(shè)置,增加RL會對電壓增益A產(chǎn)生什么影響?
     
     
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