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瑞能半導體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業展覽，是行業內重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內外優質電子企業，涵蓋從產品設計到應用落地的上下游產業，展示內容包括了半導體、傳感器、物聯網技術、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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集成柔性功率器件的應用理解
什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工業電子產品的發展趨勢是更小的電路板尺寸、更時尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢，電子系統設計人員必須降低印刷電路板(PCB)的尺寸和成本。
2020-10-28
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設計與優化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經成功地應用于電力領域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，這種結構演變成一種結勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結構被稱為合并PN肖特基（MPS），表現出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業設備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進的功率開關器件，適應了當今功率器件的發展方向—模塊化、復合化和集成化(PIC)，在電力電子領域得到了越來越廣泛的應用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計
現代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰，在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面，通過這一技術，設計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅動器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應用？
據預測，采用 SiC 的功率模塊將進入諸如可再生能源、UPS 電源、驅動器和汽車等應用。風電和牽引應用可能會隨之而來。 到 2021 年，SiC 功率器件市場總額預計將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場，如太陽能，SiC 器件已投入運行，盡管事實上這些模塊的價格仍然比常規硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業電源要求
在工業應用中，AC/DC 電源轉換（也稱為“離線式”電源轉換）與消費類和大眾市場設計迥然不同。通常，工業應用的電壓、電流和功率水平相對更高，對熱應力和電應力的穩健性有額外要求，對活動和待機模式有嚴格的監管規定，還必須監控當前工作狀態以形成反饋回路并進行故障檢測。
2020-06-10
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固態繼電器和固態調壓器的區別
固態繼電器是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點開關。用隔離器件實現了控制端與負載端的隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制信號，達到直接驅動大電流負載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級硅MOSFET
半導體功率器件在電力電子行業有著非常廣泛的應用，特別是近幾年來，隨著社會電子產業化及萬物互聯的應用需求，更進一步加速了電子化水平的進程；也對電力電子系統提出了更高的要求和挑戰，如：高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方面。
2020-04-23
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
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