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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法；并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
2016-06-27
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三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場
三菱電機今年繼續以“創新功率器件構建可持續未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。
2016-06-24
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三菱電機確認出席PCIM亞洲展2016
2016年6月28日至6月30日，三菱電機半導體大中國區將攜帶8款新型功率模塊，亮相在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2016(展位號B15)。本屆，三菱電機還將繼續以“創新功率器件構建可持續未來”為宗旨，圍繞變頻家電、工業新能源、鐵道牽引·電動汽車以及SiC器件等領域為您推介優質產品。
2016-06-13
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【專訪金城微】功率器件在行業領域的運用將會更加廣泛
第四屆中國電子信息博覽會在深圳會展中心成功舉辦，深圳市金城微零件有限公司作為效應(MOS)管現貨領先供應商，也參加了此次展會，全面展示了MOS為主的大量功率半導體產品。電子元件技術網作為此次展會的特邀媒體，對金城微進行了專訪。
2016-05-04
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安森美汽車電子龐大銷售市場帶動半導體行業需求與日俱增
3月中旬，安森美在上海舉辦一場汽車電子產品線路巡演，展示其半導體產品的路線圖和市場趨勢。根據安森美提供的資料顯示，去年的年收入達到了35億美元，其中汽車電子占了33%，可以說，汽車電子帶來的穩定收入足以讓安森美在行業不景氣的大環境下高枕無憂。他們對于的半導體需求傳感器、功率器件、圖像傳感器、通信接口、IGBT、保護器件、無線充電、車載網絡、馬達控制、LED驅動和電源管理IC也是與日俱增。
2016-04-01
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是德科技全新分析儀CX3300主攻先進器件表征和低功率器件評估
今日，是德科技公司推出支持低至 100-pA 級動態電流測量的分析儀CX3300。新款分析儀具有最高 200 MHz 的帶寬、1 GSa/s 的采樣率和 14 或 16 位寬動態范圍。
2016-03-31
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大熱的氮化鎵功率技術，“劍走偏鋒”的創新高壓器件
氮化鎵技術擁有低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優勢，其優勢以及成熟規模化生產能力使其近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。
2016-02-25
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泰克圖形源表儀器2461具備最高脈沖源和阱性能，滿足高功率器件測量應用需求
近日，泰克科技公司宣布，發布一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器--Keithley 2461，新器件用以優化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
2016-01-14
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提高晶閘管dV/dt耐受性的設計訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當代開關領域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們在兆瓦級開關器件領域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應用于機車驅動器中，或用來控制鋁材生產廠中的電爐等。
2015-12-07
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飛一般的速度，帶你體驗全球最快的功率開關
穩壓器和DC-DC電源內的硅功率器件不久將會被GaN FET代替。與硅MOSFET相比，其開關速度要快得多，且RDS(on)更低。這將能增強電源的電源效率，為大家帶來益處。如果您正在設計帶有GaN器件的電源電路，您需要掌握該器件的開關速度。為測量這一速度，示波器、探頭和互連的速度必須足夠快，以盡量減少其對測量產生的影響。
2015-11-24
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嵌入式設計必讀：電路設計之三極管基礎電路設計寶典
在嵌入式電路中經常使用IO口來控制某些電路的開關功能，此時可把三極管用作開關器件。在使用時需要利用開關三極管如9014和9015等小功率器件，此時的三極管處于飽和狀態。本文用實例來說明該類電路的特點。
2015-09-09
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三星CSP封裝工藝日趨完善 推出3款倒裝芯片新品
近日，三星電子在廣州國際照明展會上展出3款倒裝芯片新品。其中包括：大功率器件LM301A、倒裝COB、第二代CSPLED。三星表示，第二代CSPLED器件可降低熱阻，三星電子將參加9日至12日在中國廣州舉行的國際照明博覽會，公開主要技術戰略及新產品。三星參加這次中國廣州展覽會的意義非凡，因為中國市場作為全球照明市場的橋頭堡，隨著LED照明需求的增加，飛速增長。
2015-06-11
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
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