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貿(mào)澤與Phoenix Contact推出專門(mén)介紹儲(chǔ)能設(shè)備的全新解決方案微網(wǎng)站
2022年5月24日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與電子工程和汽車(chē)領(lǐng)域的知名解決方案供應(yīng)商Phoenix Contact聯(lián)手推出了一個(gè)全新的微網(wǎng)站,專門(mén)介紹Phoenix Contact的儲(chǔ)能設(shè)備產(chǎn)品組合。設(shè)計(jì)師和工程師可以點(diǎn)擊https://www.mouser.cn/new/phoenix-contact/phoenix-contact-energy-storage-solutions/來(lái)訪問(wèn)此微網(wǎng)站。
2022-05-24
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小外形,遠(yuǎn)超能效標(biāo)準(zhǔn)!65W高頻準(zhǔn)諧振USB PD適配器和快充方案
更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD的采用。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí),要滿足COC V5 Tier2等最新的能效標(biāo)準(zhǔn),并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。
2022-05-18
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Rhombus采用Wolfspeed SiC器件,實(shí)現(xiàn)更快電動(dòng)汽車(chē)充電速度
2022年5月12日,美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,與電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電和功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè) Rhombus Energy Solutions 開(kāi)展重要合作,其SiC MOSFET將被Rhombus用于其EV2flex? 系列充電基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品中,此舉將使Rhombus的產(chǎn)品更高效率、更高功率密度和更快充電時(shí)間。
2022-05-12
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貿(mào)澤電子第八次斬獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)分銷(xiāo)商獎(jiǎng)
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布第八次榮獲TE Connectivity (TE) 頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)分銷(xiāo)商獎(jiǎng)。TE是連接器與傳感器領(lǐng)域的全球知名企業(yè),此項(xiàng)大獎(jiǎng)肯定了貿(mào)澤2021年在銷(xiāo)售額增長(zhǎng)率、市場(chǎng)份額增長(zhǎng)率、客戶增長(zhǎng)率以及商業(yè)計(jì)劃績(jī)效方面的出色表現(xiàn)。
2022-05-11
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創(chuàng)新型封裝如何推動(dòng)提高負(fù)載開(kāi)關(guān)中的功率密度
從智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的封裝技術(shù)。封裝創(chuàng)新支持更高的功率密度,從而可以向每個(gè)印刷電路板上安裝更多半導(dǎo)體器件和功能。
2022-05-10
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挑選一款合適的汽車(chē)級(jí)IGBT模塊: 解讀國(guó)內(nèi)首部車(chē)用IGBT標(biāo)準(zhǔn)
隨著新能源汽車(chē)行業(yè)的蓬勃發(fā)展,越來(lái)越多的IGBT產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。汽車(chē)零部件時(shí)常暴露在惡劣的氣候條件下,因此必須保證汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運(yùn)行。如何選擇合適的汽車(chē)級(jí)半導(dǎo)體器件,對(duì)于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車(chē)行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā),介紹汽車(chē)級(jí)功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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VIAVI助力Rakuten?Symphony加速推進(jìn)5G Open vRAN從實(shí)驗(yàn)室邁向外場(chǎng)
VIAVI Solutions(VIAVI)(納斯達(dá)克股票代碼:VIAV)近日宣布,Rakuten Symphony選用了VIAVI TM500網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀以驗(yàn)證其解決方案從實(shí)驗(yàn)室至外場(chǎng)的性能。該測(cè)試平臺(tái)致力于最大程度上解決實(shí)驗(yàn)室中出現(xiàn)的各種問(wèn)題,從而加快規(guī)模化部署,且能夠模擬城市范圍內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)。
2022-05-05
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貿(mào)澤2022 Empowering Innovation Together系列第二期帶您探索沉浸式技術(shù)
2022年4月27日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存?的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其屢獲殊榮的 Empowering Innovation Together? 系列的新一期內(nèi)容。作為2022 EIT系列的第二期,本期將深入探討沉浸式技術(shù)和擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR) 的巨大潛力,其中融合了增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)、虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 和360°空間音頻等元素。貿(mào)澤將提供豐富多樣的材料內(nèi)容,包括全新的《過(guò)去、現(xiàn)在和未來(lái)》視頻、文章、信息圖,以及新一集的《科技在你我之間》播客,幫助大家深入了解擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)和沉浸式技術(shù)如何在我們的物理世界打造全新體驗(yàn)。
2022-04-27
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霍爾傳感器的開(kāi)關(guān)應(yīng)用
傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)具有許多功能,例如可以實(shí)現(xiàn)ON/OFF開(kāi)關(guān),可以改變部件的運(yùn)動(dòng)方向,可以通過(guò)旋鈕的形式用角度做量程控制等等。 這些傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)主要是機(jī)械方案,成本很低,但機(jī)械結(jié)構(gòu)件都會(huì)存在磨損問(wèn)題,頻繁使用會(huì)縮短系統(tǒng)的壽命。針對(duì)這類問(wèn)題, TI 的霍爾效應(yīng)傳感器可以在許多開(kāi)關(guān)應(yīng)用中替代機(jī)械開(kāi)關(guān),從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的設(shè)計(jì),與機(jī)械開(kāi)關(guān)相比,系統(tǒng)壽命更長(zhǎng)。
2022-04-25
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氮化鎵:相得益彰的高效解決方案覆蓋中功率應(yīng)用
2022美國(guó)國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)(APEC)期間,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體溝通會(huì),資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理閻金光介紹了使用組合芯片實(shí)現(xiàn)的中功率應(yīng)用高效電源解決方案。他表示,新推出的兩款產(chǎn)品采用的是兩級(jí)架構(gòu),第一級(jí)是PFC(功率因素校正);第二級(jí)是DC-DC變換。第二級(jí)變換采用LLC拓?fù)洌簿褪侵C振式電源。
2022-04-13
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瑞薩電子宣布其無(wú)線充電產(chǎn)品被Wacom采用
2022 年 4 月 8 日,中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)(TSE:6723)今日宣布,其無(wú)線充電產(chǎn)品已集成至先進(jìn)數(shù)字觸控筆和墨水筆解決方案供應(yīng)商Wacom的Active ES?觸控筆解決方案中。與其它高頻充電解決方案相比,瑞薩的單芯片無(wú)線電源接收器IC體積小、效率高。憑借足夠小的尺寸,瑞薩的無(wú)線充電技術(shù)可以裝入數(shù)碼筆,并便于在固定到平板電腦槽位后進(jìn)行無(wú)線充電。
2022-04-08
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反向恢復(fù)時(shí)間trr的影響
在逆變器電路中,開(kāi)關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr(Reverse recovery time)特性對(duì)損耗的影響很大。在這里,我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進(jìn)行仿真,以確認(rèn)trr對(duì)逆變器電路的影響。
2022-04-08
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
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- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
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