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DRAM供應(yīng)緊張 主流4GB DDR3模組價格半年來增長44%
在DRAM的核心PC市場持續(xù)疲軟之際，服務(wù)器與移動產(chǎn)業(yè)抵消了PC需求的持續(xù)下滑，導(dǎo)致DRAM供應(yīng)緊張，進(jìn)而推動價格上漲。今年3月，主流4GB DDR3模組的價格從去年12月的16美元上升到了23美元。DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走出谷底，正在恢復(fù)增長。
2013-05-30
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Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲器技術(shù)
近日，Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低；并且壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，適用于較高密度的電子線路設(shè)計。
2013-05-20
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【盤點】存儲模塊連接器，你用對了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請看本文詳細(xì)解讀？
2013-01-09
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IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片
IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，擁有獨有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。
2012-11-13
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ddr3和ddr2的區(qū)別
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。
2012-07-04
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DDR3引領(lǐng)DRAM模組市場，完全占據(jù)主導(dǎo)地位
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。
2012-05-03
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擴(kuò)展探頭帶寬以提高信號保真度
由于存儲器設(shè)計日趨復(fù)雜和緊湊，數(shù)據(jù)速率越來越高，使用BGA探頭探測DDR DRAM越來越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數(shù)據(jù)速率從800MT/s增加到約3200MT/s。
2011-11-18
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七月上旬DRAM合約均價直逼金融風(fēng)暴時期
根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，七月上旬合約價再度呈現(xiàn)下跌的價格走勢，DDR3 2GB及4GB合約均價分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價格已經(jīng)逼近金融風(fēng)暴時期的最低價格水位，從市場面來觀察，由于三月日本地震過后，PC-OEM廠曾提升手上庫存水位，以防出貨發(fā)生斷煉危機(jī)，亦讓五月合約價格起漲最高至19美元，但由于全球市場對于下半年P(guān)C出貨數(shù)字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調(diào)降出貨目標(biāo)，甚至六月部份合約客戶取消原本要進(jìn)貨的數(shù)量，調(diào)降目前高達(dá)4-6周左右的庫存水位，故七月上旬合約價方面，在PC-OEM客戶采購意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價格已轉(zhuǎn)為買方主導(dǎo)，上旬合約價一路下探至15.5美元價位，七月下旬合價格不排除將繼續(xù)探底。
2011-07-18
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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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泰科電子推出超低型DDR3雙列直插式內(nèi)存模組插槽
泰科電子（TE）按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR3）雙列直插式內(nèi)存模組（DIMM）插槽。
2010-12-13
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行，通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。
2010-01-29
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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