-
OBC設計不斷升級，揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續航里程，方可與傳統的內燃機(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開關損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續航里程。
2024-08-22
-
不斷改進 OBC 設計，適應更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車 (EV) 必須延長續航里程，方可與傳統的內燃機 (ICE) 汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
-
第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
-
觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動與數千新品引爆AI+技術生態
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會展中心（福田）開幕。展會為電子產業復蘇以及AI時代到來準備好了全棧技術和產品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術與生態、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進封裝等。
2024-07-18
-
功率器件模塊：一種滿足 EMI 規范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態。開、關狀態間變化會產生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關頻率的諧波頻率上產生 EMI。
2024-07-08
-
意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業園
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點現有的碳化硅襯底制造廠，意法半導體將打造一個碳化硅產業園，實現公司在同一個園區內全面垂直整合制造及量產碳化硅的愿景。新碳化硅產業園的落地是意法半導體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業和云基礎設施等領域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
-
吉利汽車與意法半導體簽署碳化硅長期供應協議，深化新能源汽車轉型，推動雙方創新合作
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。
2024-06-06
-
使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉換器方面已經取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
-
測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。
2024-04-07
-
雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。
2024-03-19
-
談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
-
I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅動技術中的死區時間納米級調控是如何具體實現的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術應用全景解析
- 減排新突破！意法半導體新加坡工廠冷卻系統升級，護航可持續發展
- 低排放革命！貿澤EIT系列聚焦可持續技術突破
- 精密信號鏈技術解析：從原理到高精度系統設計
- 性能與成本的平衡：獨石電容原廠品牌深度對比
- 從失效案例逆推：獨石電容壽命計算與選型避坑指南
- 獨石電容技術全景解析——從成本到選型的工程實踐指南
- 電子系統設計必讀——基準電壓源選型指南
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
