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基礎知識之無源紅外傳感器
PIR全稱為Passive Infra-Red，稱作被動紅外傳感器（又被稱為Pyroelectric Infrared——熱釋電紅外線傳感器）是近年來發展起來的一種新型高靈敏度探測元件，是一種能檢測人體發射的紅外線而輸出電信號的傳感器。它能組成防入侵報警器或各種自動化節能裝置。它能以非接觸形式檢測出人體輻射的紅外線能量的變化，并將其轉換成電壓信號輸出。將這個電壓信號加以放大,便可驅動各種控制電路，如作電源開關控制、防盜防火報警等。
2024-02-27
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貿澤傾力打造新能源資源中心，為設計工程師提供豐富內容和值得信賴的產品
2024年2月21日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出專門的新能源資源中心，通過豐富的內容、產品和解決方案，為工程師提供有助于解決當今設計挑戰的關鍵信息。讀者可從該資源中心探索可再生能源的創新用途，發現商用和工業用電動車的優勢和挑戰，了解儲能系統如何成為可再生能源轉型的關鍵。
2024-02-23
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如何使用 SSR 實現可靠都的、可快速開關的低損耗半導體自動測試設備
集成電路 (IC) 降低了硬件開發成本，促進了電子設備的小型化并具有廣泛的功能，因此比以往任何時候都更加搶手。為確保大批量生產的質量，半導體制造商需要可靠、緊湊的自動測試設備 (ATE) ，能夠在保持信號低電平、信號高電平且損耗最小的情況下快速開關高頻 AC 和 DC 電流。
2024-02-22
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如何使用LTspice獲得出色的EMC仿真結果—第1部分
隨著物聯網互聯設備和5G連接等技術創新成為我們日常生活的一部分，監管這些設備的電磁輻射并量化其EMI抗擾度的需求也隨之增加。滿足EMC合規目標通常是一項復雜的工作。本文介紹如何通過開源LTspice?仿真電路來回答以下關鍵問題：(a) 我的系統能否通過EMC測試，或者是否需要增加緩解技術？(b) 我的設計對外部環境噪聲的抗擾度如何？
2024-02-21
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電源應用中，不同PWM頻率之間的同步設置
在電源項目應用中，有時候不同PWM頻率信號之間需要同步，此時需要一些特殊設置可以實現。本文就介紹其中一種方法，基于dsPIC33CK256MP506實驗平臺，采用ADC分頻觸發事件，結合PWM的PCI同步功能來實現這一需求。
2024-02-20
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IU8202 適用于OWS耳機的無POP聲超低功耗400mW單聲道G類耳放IC方案
OWS的全稱是Open Wearable Stereo，也就是開放式可穿戴立體聲系統，通過無線降噪技術提供豐富、全頻的聲音，采用開放式設計，進而解決了傳統入耳式TWS耳機的諸多痛點問題。OWS 開放式耳機將成為新的極速增長品類，預測在未來，開放式耳機銷量將占 TWS 耳機 30%的市場。
2024-02-19
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5G和Wi－Fi 6融合無線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對不同應用需求所開發的通信技術，看似針對不同的市場與需求，但其實彼此之間具有互補性，若能夠將5G和Wi-Fi技術相結合，將能夠發揮5G和Wi-Fi技術各自的優勢，并藉此擴大應用領域與市場。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術的最新發展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶駐地設備）的應用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關解決方案。
2024-02-08
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寄生天線耦合器有什么用途？
寄生天線耦合器（Parasitic Element Coupling Device），是有助于天線特性的寬帶化和小型化的耦合器。對于Wi-Fi 6E、Wi-Fi 7和蜂窩網絡等需要較寬頻率帶寬用途的天線，通過寬帶化和改進天線效率，可使天線部分小型化。
2024-02-08
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意法半導體：SiC新工廠今年投產，豐沛產能滿足井噴市場需求
意法半導體對汽車應用有全面深入的了解，如今，已有650多萬輛純電動汽車搭載了意法半導體的SiC MOSFET，包括電驅逆變器、車載充電機、直流/直流變換器（DC-DC）。我們從2017年開始交付SiC產品，與全球超過75家整車制造商和一級配套廠商建立了業務關系。
2024-02-02
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深入了解FET輸入放大器中的電流噪聲
IC設計工程師和電路設計人員都深知電流噪聲會隨頻率增高而變大，但由于關于此領域的資料過少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。
2024-02-02
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實用技巧分享：為特定的模擬開關構建宏模型
如果我的模擬設計中包含開關和多路復用器，那么還能改進開關/多路復用器LTspice?模型嗎？當然能，要生成自己的模型并不困難。本文將以工程師角度為您詳細介紹如何為特定的模擬開關構建不錯的宏模型，以及如何獲取參數，為實現物理器件的多個不同的半導體工藝提供支持。
2024-02-01
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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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