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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低導(dǎo)通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT系列：Vishay穩(wěn)定性極高的TCR薄膜電阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面貼裝1A整流器具有超快反向恢復(fù)時(shí)間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時(shí)間可滿足高頻應(yīng)用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器
日前，Vishay宣布推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車(chē)市場(chǎng)。今天推出的傳感器是業(yè)內(nèi)首款達(dá)到+145℃的結(jié)溫等級(jí)、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級(jí)1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高達(dá)25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護(hù)高達(dá)25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
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Vishay推出1280G、1285G系列AccutrimTM微調(diào)電位器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款Bulk Metal?箔超高精度AccutrimTM微調(diào)電位器 --- 1280G和1285G。
2009-07-08
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WSR系列：Vishay推出5W功率的表面貼裝電阻
Vishay Intertechnology推出在4527封裝尺寸內(nèi)提供5W額定功率的電阻，WSR5的尺寸僅有0.455英寸 x 0.275英寸(11.56 mm x 6.98 mm)，厚度僅有0.095英寸(2.41 mm)，為汽車(chē)系統(tǒng)中的電子控制裝置、通信基站中的電源、高端工作站和服務(wù)器中的DC-DC轉(zhuǎn)換器和VRM提供了緊湊的5W方案。
2009-06-30
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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對(duì)稱功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號(hào)鏈架構(gòu)
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