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射頻信號鏈的原位非線性校準(zhǔn)
提出了一種線性化級聯(lián)組合信號IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)/原型設(shè)計(jì)周期，并以可忽略不計(jì)的功耗成本最大限度地提高信號鏈性能。報(bào)告了使用高達(dá)3GHz的RF信號并使用12b/10GSPS ADC進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，驗(yàn)證了該方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-10-22
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如何保護(hù)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)免受故障影響
正常運(yùn)行時(shí)間是工業(yè)自動(dòng)化、樓宇自動(dòng)化、運(yùn)動(dòng)控制和過程控制等應(yīng)用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。執(zhí)行維護(hù)、人為失誤和設(shè)備故障都會(huì)導(dǎo)致停機(jī)。與停機(jī)相關(guān)的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護(hù)和人為失誤相關(guān)的停機(jī)無法避免，但大多數(shù)與設(shè)備相關(guān)的故障是可以預(yù)防的。本文重點(diǎn)介紹由電源故障引起的停機(jī)，以及如何在設(shè)備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護(hù)IC來防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
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給SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當(dāng)大，須謹(jǐn)慎降低以保持低系統(tǒng)傳導(dǎo)損耗。
2023-10-21
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低功耗、精準(zhǔn)檢測、超長待機(jī)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備助力實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)
在實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”和“碳中和”的“雙碳”目標(biāo)過程中，廣泛存在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是一個(gè)重要抓手。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IoT Analytics發(fā)布的報(bào)告顯示，2022年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達(dá)到143億；預(yù)計(jì)到2023年，這一數(shù)量將再增長16%，達(dá)到160億個(gè)。
2023-10-20
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使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開關(guān)管以及 LS 開關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
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如何在SPICE中構(gòu)建鉑RTD傳感器模型
KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識(shí)）電路應(yīng)用筆記提供應(yīng)對特定設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的分步指南。對于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應(yīng)對這些要求，并使它們輕松擴(kuò)展到其他類似的應(yīng)用規(guī)格。該傳感器模型支持對電阻溫度檢測器(RTD)的電氣和物理特性進(jìn)行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻）物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個(gè)典型的激勵(lì)和信號調(diào)理電路，利用該電路可演示RTD模型的行為。
2023-10-18
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碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展
雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動(dòng)力、純電動(dòng)等各種形式的電動(dòng)汽車 (EV) 正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動(dòng)汽車的行駛里程并縮短充電時(shí)間，以克服這個(gè)影響采用率的重要障礙。電動(dòng)汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數(shù)量有限，相當(dāng)一部分車主仍然需要依賴車載充電器 (OBC) 來為電動(dòng)汽車充電。為了提高車載充電器的性能，汽車制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技術(shù)。這篇技術(shù)文章將探討車載充電器的重要性，以及半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)進(jìn)步如何推動(dòng)車載充電器的性能提升到全新水平。
2023-10-18
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。
2023-10-17
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電流傳感器磁場干擾管理
本文介紹 Allegro 的 ACS71x 電流傳感器集成電路 (IC)，無需集中器，可控制并地減少外部磁場干擾。這些器件可以通過簡單的布局步驟提高小電流差異化的性能。ACS71x 設(shè)備中的當(dāng)前路徑。電流沿任一方向通過 U 形環(huán)路并繞過霍爾元件 (X)。U 形環(huán)安裝在 SOIC8 封裝中的芯片下方。
2023-10-13
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使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場傳感技術(shù)的應(yīng)用
隨著支持技術(shù)的增強(qiáng)，使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場傳感技術(shù)的應(yīng)用目前已變得有效。本技術(shù)文檔介紹了霍爾效應(yīng)技術(shù)，并對應(yīng)用進(jìn)行了回顧，特別是區(qū)分霍爾傳感器 IC 的主要類型以及它們可以支持的各種傳感行為。此外，它還探討了一些使能技術(shù)，例如信號處理方面的進(jìn)步，這些技術(shù)使該技術(shù)比早期更加強(qiáng)大。這使得非接觸式霍爾應(yīng)用的極高可靠性優(yōu)勢能夠在比以往更廣泛的范圍內(nèi)得到應(yīng)用。
2023-10-12
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Microchip FPGA采用量身定制的PolarFire FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧
為智能邊緣設(shè)計(jì)系統(tǒng)正面臨前所未有的困難。市場窗口在縮小，新設(shè)計(jì)的成本和風(fēng)險(xiǎn)在上升，溫度限制和可靠性成為雙重優(yōu)先事項(xiàng)，而對全生命周期安全性的需求也在不斷增長。要滿足這些同時(shí)出現(xiàn)的需求，需要即時(shí)掌握特殊技術(shù)和垂直市場的專業(yè)知識(shí)。沒有時(shí)間從頭開始。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布在其不斷增長的中端FPGA和片上系統(tǒng)（SoC）支持系列產(chǎn)品中增加了九個(gè)新的技術(shù)和特定應(yīng)用解決方案協(xié)議棧，涵蓋工業(yè)邊緣、智能嵌入式視覺和邊緣通信。
2023-10-11
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