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意法半導體與高通達成無線物聯網戰略合作
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術國際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡稱QTI）近日宣布，雙方達成一項新的戰略協議，合作開發基于邊緣 AI的下一代工業和消費物聯網解決方案。
2024-10-11
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貿澤推出全新一期EIT系列 探索可持續智能電網的技術創新
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布Empowering Innovation Together (共求創新，EIT) 計劃全新一期技術內容，探討將可再生能源納入智能電網技術的好處，并重點介紹AI和5G在實現可持續電網管理中的作用。
2024-09-25
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貿澤電子對FIRST創始人兼發明家Dean Kamen進行視頻專訪
貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營利機構致力于通過機器人實踐項目，推動青少年的科學、技術、工程與數學 (STEM) 教育。自2014年以來，貿澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協助該機構每年持續激發數十萬年輕人的創新靈感，培養他們全面的STEM和生活技能。
2024-09-09
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2024CIOE中國光博會 | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國深圳光電博覽會(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國際會展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個全球光電科技匯聚的盛會上，傲科光電將展示業界領先的400G/800G/1.6T 應用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態？
這要從IGBT的平面結構說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結構，MOS中的漏極D相當于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當于IGBT的發射極E，二者都會發生退飽和現象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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可調速工業電機驅動器有哪些不同類型
本文簡要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅動器定義的效率等級，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統中的應用。
2024-08-13
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西門子Xcelerator即服務助力松下進行家電開發數字化轉型
西門子支持全球領先的電子產品制造商松下電器將產品開發和設計數據管理轉移到軟件即服務(SaaS)模式,作為其數字化轉型(DX)策略——“松下轉型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
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半導體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統半導體封裝中的作用
可靠性和穩定性是保障半導體產品順暢運行的關鍵因素。半導體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質量要求。隨著業界對半導體產品運行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優異的電氣性能，比如具備低介電常數（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
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全新Reality AI Explorer Tier，免費提供強大的AI/ML開發環境綜合評估“沙盒”
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出Reality AI Explorer Tier——作為Reality AI Tools?軟件的免費版本，可用于開發工業、汽車和商業應用中的AI與TinyML解決方案。
2024-07-17
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采用被動式紅外傳感器做運動檢測 有沒有簡捷實現的方案？
本文首先討論運動檢測的基本原理，然后展示開發者如何使用與 Microchip DM080104 ATtiny 1627 Curiosity Nano 連接的 PIR 進行運動檢測。最后，介紹一種可替代復雜算法開發的運動檢測方法。這種方法充分發揮了機器學習 (ML) 技術的優勢。其中包括入門所需的技巧和竅門。
2024-07-16
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半導體后端工藝 第八篇：探索不同晶圓級封裝的工藝流程
在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應用于這些晶圓級封裝的各項工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2024-07-02
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更深入了解汽車與航空電子等安全關鍵型應用的IP核考量因素
中國已經連續十多年成為全球第一大汽車產銷國，智能化也成為了汽車行業發展的一個重要方向，同時越來越多的制造商正在考慮進入無人機和飛行汽車等低空設備，而所有的這些系統產品都需要先進芯片的支撐，其中的許多芯片因其功能都是安全關鍵型芯片（safety-critical chip）。
2024-06-21
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
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