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如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半導體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會
11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。
2023-07-31
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態特性測試
氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。
2023-07-18
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比較兩種并聯驅動方式對功率回路耦合特性分析
隨著電力電子應用越發趨于高壓與高功率密度，單個模塊已經無法滿足其需求，功率器件的并聯應用由于其經濟性與可行性成為了解決該矛盾的有效方法。然而，并聯系統的總體布局無法達到完全的對稱，使得理想化的靜、動態電流分布難以實現進而限制了并聯器件的利用率。
2023-07-12
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。
2023-07-10
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新能源汽車加速爆發，功率器件迎來增長新契機
在當前全球經濟衰退和整個半導體行業下行周期背景下，汽車半導體似乎成為了一個逆勢的窗口產業。與此同時，隨著汽車電動化、智能化、網聯化、共享化等新四化發展趨勢，以及新能源汽車產銷兩旺的持續景氣市場，汽車電子迎來結構性變革機遇。
2023-07-05
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。
2023-06-27
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
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