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保護(hù)USB的電源開關(guān)設(shè)計(jì)方案
本文設(shè)計(jì)的USB電源開關(guān)采用自舉電荷泵，為N型功率管提供2倍于電源的柵驅(qū)動電壓。在負(fù)載出現(xiàn)異常時(shí)，過流保護(hù)電路能迅速限制功率管電流，以避免熱插拔對電路造成損壞。
2011-09-08
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實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)USB 2.0端口共享的方案
典型的智能手機(jī)包含一個(gè)通信處理器、一個(gè)應(yīng)用處理器和一個(gè)功率管理IC，它們都必需共享單個(gè)USB端口，并以480Mbps的高速USB數(shù)據(jù)速率進(jìn)行通信。而很多移動設(shè)備需要許多信號處理集成電路（IC）以滿足用戶各種不同的功能要求。各種新奇的玩意兒正在讓智能手機(jī)變得越來越娛樂化，沒有更好的應(yīng)用就會落后，市場銷售就不理想。本文介紹一些能夠解決該問題的方案，并對從USB集線器到簡單模擬開關(guān)的各種不同解決方案進(jìn)行比較。
2011-07-21
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大功率電源模塊的散熱設(shè)計(jì)
用傳統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)理論及經(jīng)驗(yàn)公式對電源模塊內(nèi)的四個(gè)50W大功率管進(jìn)行了散熱設(shè)計(jì)，應(yīng)用熱分析軟件Icepak對理論計(jì)算進(jìn)行了校核,并對方案進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2011-04-01
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MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置
飛思卡爾半導(dǎo)體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負(fù)載中提供300W CW的全額定輸出功率。
2010-11-16
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數(shù)字控制技術(shù)
在一個(gè)電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術(shù)，一個(gè)是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級實(shí)現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能。本文將針對第一種情況進(jìn)行詳細(xì)討論。文中比較了板載電源(BMPS)的內(nèi)部控制功能采用數(shù)字技術(shù)和更傳統(tǒng)的模擬方法的系統(tǒng)級實(shí)現(xiàn)效果。
2010-08-31
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多媒體SOC的低功耗設(shè)計(jì)方法
本文對多媒體中視頻應(yīng)用的編碼特征以及負(fù)載特性進(jìn)行分析，從系統(tǒng)設(shè)計(jì)及優(yōu)化的層次，將功率管理模塊嵌入至多媒體SOC系統(tǒng)中。同時(shí)，將系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)按不同的IP配置情況組合成一系列微狀態(tài)，在前人所做工作的基礎(chǔ)上，利用F-ARIMA模型預(yù)測負(fù)載，同時(shí)利用多媒體應(yīng)用中衡量服務(wù)質(zhì)量的重要指標(biāo)——最后期限缺失率(deadlinemissrate，DMR)作為反饋控制信息，兩者相結(jié)合的方式，實(shí)時(shí)調(diào)整多媒體SOC系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)移動多媒體SOC設(shè)計(jì)過程中的功耗優(yōu)化。
2010-07-12
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50V RF LDMOS：飛思卡爾推出高功率密度功率管
飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負(fù)載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。
2010-05-28
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飛兆半導(dǎo)體榮獲Power One戰(zhàn)略供應(yīng)商大獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)榮獲Power One公司頒發(fā)戰(zhàn)略供應(yīng)商獎項(xiàng)(Strategic Supplier Award)，Power One公司是數(shù)字電源技術(shù)(DPT)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，提供可再生能源和高能效功率轉(zhuǎn)換及功率管理解決方案。
2010-05-20
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功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢
在過去的數(shù)年間，功率產(chǎn)品格局發(fā)生了最為重大的轉(zhuǎn)變，那就是功率半導(dǎo)體器件從用于諸如電動機(jī)、磁盤驅(qū)動器、電視線圈、熒光燈等的各種機(jī)電負(fù)載，向用于IC的純電子負(fù)載轉(zhuǎn)變。這種市場趨勢曾經(jīng)主要集中在功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品創(chuàng)新，同時(shí)也創(chuàng)造了許多新的控制IC機(jī)會，從而誕生了一個(gè)新的代表性名詞來描述這種市場：功率管理。功率管理市場不僅巨大，而且正在不斷增長。 本文主要講述功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢
2010-02-18
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護(hù)研究
絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動電路。
2008-10-02
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電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
1970-01-01
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NPN三極管工作原理
NPN三極管具有壽命長、安全可靠、沒有機(jī)械磨損、開關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。NPN三極管可以用很小的電流，控制大電流的通斷，有較廣泛的應(yīng)用。小功率開關(guān)管可以用在電源電路、驅(qū)動電路、開關(guān)電路等；大功率管可用于彩色電視機(jī)、通信設(shè)備的開關(guān)電源；也可用于低頻功率放大電路、電流調(diào)整等；高反壓大功率開關(guān)管可用于彩色電視機(jī)行輸出管。
1970-01-01
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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