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IIC Shanghai 2025 峰會論壇議程曝光，這些關(guān)鍵議題值得重點(diǎn)關(guān)注
本次大會深度聚焦綠色能源生態(tài)、中國IC設(shè)計(jì)創(chuàng)新、EDA/IP、Chiplet、寬禁帶半導(dǎo)體等熱門賽道，直擊產(chǎn)業(yè)核心議題：AI與機(jī)器學(xué)習(xí)時代，IC設(shè)計(jì)的革新；高可靠、低延遲存儲方案如何重塑智能汽車、AR/VR等場景的極致體驗(yàn)；Chiplet技術(shù)在多芯片封裝的實(shí)踐探索；綠色芯動力：可持續(xù)技術(shù)在IC設(shè)計(jì)中的崛起等，匯聚全球頂尖的半導(dǎo)體企業(yè)與創(chuàng)新力量，覆蓋設(shè)計(jì)-制造-封測-應(yīng)用，激發(fā)合作新思路，助力精準(zhǔn)對接目標(biāo)企業(yè)，共同推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展。
2025-03-19
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富昌電子榮獲Diodes授予的“2024年度亞洲最佳分銷商獎”
中國上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發(fā)的“2024年度亞洲最佳分銷商獎（Asia Best Distributor Award 2024）”。該獎項(xiàng)旨在表彰富昌電子在2024年度亞洲市場出色的業(yè)績表現(xiàn)，及雙方緊密的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
2025-03-18
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鎧俠參展CFMS 2025：布局下一代先進(jìn)存儲，持續(xù)助力高能AI
3月12日，全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025，在現(xiàn)場針對人工智能 AI應(yīng)用提出了全新的存儲解決方案，并預(yù)告了全新一代的QLC企業(yè)級與數(shù)據(jù)中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計(jì)算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進(jìn)存儲解決方案。
2025-03-18
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-17
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工業(yè)應(yīng)用中輔助電源技術(shù)綜述
本文介紹了工業(yè)應(yīng)用輔助電源解決方案，包括兩級式輔助電源架構(gòu)和各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。第一級輔助電源通常使用反激拓?fù)洌w凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設(shè)計(jì)。第二級輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓?fù)洌w凌的2EP1XXR系列驅(qū)動IC可以提供簡單靈活的解決方案。
2025-03-17
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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貿(mào)澤電子與NXP聯(lián)合推出全新電子書，提供有關(guān)電動汽車電機(jī)控制的專業(yè)觀點(diǎn)
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子貿(mào)澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業(yè)和汽車等系統(tǒng)的電氣化對于電機(jī)控制技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新的高依賴度。高效的電機(jī)控制系統(tǒng)對于實(shí)現(xiàn)出色的電動汽車 (EV) 性能至關(guān)重要。NXP的新電子書展示了設(shè)計(jì)工程師如何減少功率損耗并改善系統(tǒng)效率，以提高電動汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點(diǎn)。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實(shí)用的設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則。接下來，文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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2025上海慕展：安芯易攜萬元“芯”意而來，亮點(diǎn)搶先看！
15場科技論壇，讓展會更有“深”度 作為全球電子科技領(lǐng)域的頂級展會之一，慕尼黑上海電子展（electronica China）已走過20年的輝煌歷程，它不僅是電子科技創(chuàng)新與技術(shù)交流的頂級平臺，更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現(xiàn)金收購Allegro MicroSystems
安森美于美國時間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱"Allegro") （美國納斯達(dá)克股票代號：ALGM）董事會提交的收購提案的詳情，以每股35.10美元的現(xiàn)金收購Allegro的所有已發(fā)行普通股，按完全稀釋后的股本計(jì)算，對應(yīng)的隱含企業(yè)價值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-03-03
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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