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    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇

    發(fā)布時(shí)間:2021-03-16 來(lái)源:美新 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】磁傳感器是一種把外界磁場(chǎng)引起的敏感元件磁性能的變化轉(zhuǎn)換成電信號(hào),來(lái)檢測(cè)相應(yīng)物理量的器件。磁傳感器主要用于感測(cè)方向、角度、位置和速度等,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域。
     
    傳統(tǒng)的磁傳感器利用霍爾效應(yīng)來(lái)感測(cè)磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。近年來(lái),隨著磁阻(Magnetic Resistance)技術(shù)的逐步發(fā)展和成熟,無(wú)論在消費(fèi)類(lèi)還是在汽車(chē)和工業(yè)類(lèi)市場(chǎng)上,越來(lái)越多的產(chǎn)品開(kāi)始使用基于磁阻技術(shù)的磁傳感器。
     
    1 AMR磁傳感器的原理和優(yōu)勢(shì)
     
    某些金屬或半導(dǎo)體在遇到外加磁場(chǎng)時(shí),其電阻值會(huì)隨著外加磁場(chǎng)的大小發(fā)生變化,這種現(xiàn)象叫做磁阻效應(yīng)。磁阻技術(shù)主要包括各向異性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)。
     
    各向異性磁電阻(AMR)效應(yīng)是指當(dāng)外部磁場(chǎng)與磁體內(nèi)建磁場(chǎng)方向成零度角時(shí), 電阻不隨外加磁場(chǎng)變化而發(fā)生改變;但當(dāng)外部磁場(chǎng)與磁體的內(nèi)建磁場(chǎng)有一定角度的時(shí)候, 磁體內(nèi)部磁化矢量會(huì)偏移,電阻降低。各向異性磁阻的磁場(chǎng)作用效果如下圖:
     
    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
     
    AMR磁傳感器的基本結(jié)構(gòu)是由四個(gè)磁阻組成了惠斯通電橋,其中供電電源為Vb,電流流經(jīng)電阻。當(dāng)施加一個(gè)偏置磁場(chǎng)H在電橋上時(shí),兩個(gè)相對(duì)放置的電阻的磁化方向就會(huì)朝著電流方向轉(zhuǎn)動(dòng),這兩個(gè)電阻的阻值會(huì)增加;
     
    而另外兩個(gè)相對(duì)放置的電阻的磁化方向會(huì)朝與電流相反的方向轉(zhuǎn)動(dòng),該兩個(gè)電阻的阻值則減少。通過(guò)測(cè)試電橋的兩輸出端輸出電壓差信號(hào),可以得到外界磁場(chǎng)值。
     
    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
     
    基于各向異性磁阻(AMR)技術(shù)的磁傳感器具有以下優(yōu)勢(shì):
     
    ●     AMR磁傳感器具有高頻、低噪和高信噪比特性,性能遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的霍爾傳感器;
    ●     AMR磁傳感器在地球磁場(chǎng)范圍內(nèi)性能優(yōu)良,且不隨溫度變化,指南針應(yīng)用,測(cè)量精確度可達(dá)1度;
    ●     AMR可與CMOS或MEMS集成在同一硅片上;  
    ●     AMR技術(shù)只需一層磁性薄膜,工藝簡(jiǎn)單,成本低。
     
    2 世界已知最小尺寸AMR磁傳感器
     
    美新半導(dǎo)體(MEMSIC)最新一代的磁傳感器MMC5603NJ是基于先進(jìn)的AMR技術(shù)的單芯片集成的三軸磁傳感器,晶圓級(jí)封裝, 是世界上迄今已知最小尺寸(0.8x0.8x0.4mm)的磁傳感器。多項(xiàng)美新所獨(dú)有的新技術(shù)和新工藝被應(yīng)用在MMC5603NJ這顆磁傳感器上。
     
    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
     
    1、高度集成的單芯片設(shè)計(jì)
     
    早期的MEMS磁傳感器需要兩個(gè)MEMS的Die(一個(gè)感測(cè)X/Y軸的磁場(chǎng),另一個(gè)感測(cè)Z軸磁場(chǎng))和一個(gè)用來(lái)處理信號(hào)的ASIC的Die。這樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積大、且成本高。隨著設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)的進(jìn)步,Die體積越來(lái)越小,但一般還是需要一個(gè)MEMS的Die和一個(gè)ASIC的Die。
     
    美新采用專有的技術(shù),將MEMS技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝完美結(jié)合,直接在ASIC材料表面集成了AMR磁阻材料,并采用獨(dú)創(chuàng)的斜坡結(jié)構(gòu)來(lái)感測(cè)Z軸方向的磁場(chǎng)信號(hào)。這樣高度集成的單芯片設(shè)計(jì),并采用了晶圓級(jí)的封裝,鑄成了業(yè)界最小尺寸的三軸磁傳感器。
     
    2、數(shù)倍或數(shù)十倍領(lǐng)先于同級(jí)別產(chǎn)品 
     
    磁傳感器在電子設(shè)備中最常見(jiàn)的應(yīng)用是感測(cè)地球磁場(chǎng)的方向,我們將此應(yīng)用稱為電子羅盤(pán)(eCompass)。電子羅盤(pán)容易受到周?chē)h(huán)境中各類(lèi)的軟磁和(或)硬磁的磁場(chǎng)干擾而造成方向失準(zhǔn)。
     
    對(duì)此,美新在軟件方面提供了成熟的、可定制的算法來(lái)校準(zhǔn)方向。然而,當(dāng)干擾磁場(chǎng)非常大的時(shí)候,磁感應(yīng)元件內(nèi)部會(huì)殘留明顯的剩磁,軟件校準(zhǔn)算法對(duì)此無(wú)能為力;
     
    MMC5603NJ在芯片設(shè)計(jì)上使用了Auto Set/Reset的機(jī)制。此機(jī)制是在磁感應(yīng)元件的敏感極上進(jìn)行正反兩個(gè)方向上的成對(duì)操作,可以消除磁傳感器內(nèi)部固有的offset,并且抵消時(shí)間、溫度等變化等因素帶來(lái)的漂移。
     
    MMC5603NJ的溫漂只有±0.01μT/℃,遠(yuǎn)低于同類(lèi)產(chǎn)品。因此,MMC5603NJ能在各種苛刻的使用環(huán)境下保持始終如一的測(cè)量精度和穩(wěn)定可靠的性能。
     
    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
     
    此外,MMC5603NJ還提供了20/18/16位的可選擇的靈敏度,最高可達(dá)1000Hz的數(shù)據(jù)輸出速率,RMS噪聲水平最低為0.15μT,磁滯僅為0.02%,使得快速校準(zhǔn)甚至免校準(zhǔn)的電子指南針成為可能...
     
    以上主要性能參數(shù),與市場(chǎng)上同級(jí)別產(chǎn)品相比較,MMC5603NJ保持?jǐn)?shù)倍或數(shù)十倍的領(lǐng)先。
     
    3 小結(jié)
     
    美新深耕磁傳感技術(shù)多年,在基于AMR技術(shù)的磁傳感器的設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用等方面積累深厚,并且還首創(chuàng)將高性能的AMR磁傳感器引入智能手機(jī)市場(chǎng)。
     
    作為全新一代基于AMR技術(shù)的三軸磁傳感器,美新的MMC5603NJ已廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等眾多消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中,也是目前全球出貨量最大的基于AMR技術(shù)的磁傳感器之一。
     
    AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
     
     
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